封装，Package，它是将集成电路组装成芯片最终产品的过程。简单地说，就是把集成电路Foundry生产的集成电路裸片（Die）把它放在一个承载的基板上，把管脚拿出来，然后把它固定成一个整体。今天，小编整理了40种常用的芯片包装技术。让我们看看。
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封法密封。也称为凸显载体（PAC）。引脚可超过200，是多引脚LSI一种封装。
四侧带缓冲垫的引脚平装。QFP在封装本体的四个角处设置突起(缓冲垫)，防止运输 中引脚弯曲变形。美国半导体制造商主要在微处理器和ASIC这种包装用于等待电路。引脚中心距0.635mm， 从84到196左右引脚。
表面贴装型PGA的别称。
表示陶瓷封装的标记。CDIP陶瓷DIP。在实践中经常使用的标记。
用玻璃密封的陶瓷双柱直插包装ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。Cerdip用于紫外线擦除型EPROM内带EPROM微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42不等。在日本，这种封装表示DIP-G（G 即玻璃密封的含义)。
表面贴装型包装之一，即下密封陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的 Cerquad用于封装 EPROM电路。散热比塑料好QFP好的，在自然空冷条件下可以允许1.5～2W的功率。但是包装成本比塑料高QFP高3～5倍。引脚中心距1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。从32到368引脚。
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装封装之一，引脚从封装的四面引出，呈丁字形。用窗户包装紫色 外线擦除型EPROM以及带有EPROM微机电路等。QFJ、QFJ-G。
板上芯片包装是裸芯片包装技术之一。半导体芯片交接安装在印刷电路板上。芯片与基板的电气连接采用导线缝合法实现，芯片与基板的电气连接采用导线缝合法实现。COB是最简单的裸芯片贴装技术，但其封装密度远低于TAB和倒片焊技术。
双引脚扁平封装。SOP的别称。
陶瓷DIP(含玻璃密封)封)。
陶瓷DIP(含玻璃密封)封)。
插装包装之一，引脚从包装两侧引出，包装材料有塑料和陶瓷。DIP包括标准逻辑在内的包装，包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的宽度为7.52mm和10.16mm包装分别称为skinny DIP和slim DIP（窄体型DIP）。但在大多数情况下，没有区别，只是简单地统称为DIP。此外，用低熔点玻璃密封的陶瓷 DIP 也称为 cerdip。
双侧引脚小外包装。SOP别名。一些半导体制造商使用这个名称。
双引脚装载封装。TCP(带载包装)之一。在绝缘带上制作引脚，并从封装两侧引出。因为用的是TAB(自动加载焊接)技术，包装外观很薄。常用于液晶显示驱动LSI，但大部分都是定制产品。另外，0.5mm厚的存储器LSI正处于开发阶段。在日本按照EIAJ(日本电子机械工业)标准规定，将DICP命名为DTP。
同上。日本电子机械工业协会标准DTCP的命名。
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP（见QFP和SOP）的别称。部分半导体厂家采用此名称。
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一LSI在芯片的电极区域制作金属凸点，然后在印刷基板上制作金属凸点 压焊连接的电极区域。包装的占用面积与芯片尺寸基本相同。它是所有包装技术中最小、最薄的。
但如果基板的热膨胀系数和LSI不同的芯片会对接头产生反应，从而影响连接的可靠性。因此，树脂必须用于加固LSI芯片采用热膨胀系数基本相同的基板材料。
引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP（见QFP）。一些导体制造商使用这个名称。塑料四侧引出扁平包装PQFP（Plastic Quad Flat Package）PQFP最常见的封装形式。
芯片引脚之间的距离很小，引脚很细，用于许多大型或超大型集成电路 引脚的数量一般在100个以上。Intel 系列CPU 这种包装形式用于中80286、80386和一些486主板芯片。这种包装形式的芯片必须使用 SMT 芯片与电路板焊接技术(表面安装设备)。采用 SMT 芯片的技术安装 无需在电路板上打孔，一般在电路板表面设计相应的引脚焊点。将芯片脚对准相应的焊点即可实现 焊接主板。如果没有专用工具，用这种方法焊接的芯片很难拆卸。SMT 该技术也广泛应用于核心 从那以后，许多先进的包装技术都需要在焊接领域使用 SMT 焊接。
以下是一颗QFP封装处理器芯片。.5mm焊区中心距208个I/O引脚，形状尺寸28×28mm， 芯片尺寸10×10mm，芯片面积/包装面积=10×10/28×28=1:7.8，由此可见 QFP 比 DIP 封装尺寸大大降低。
一些美国半导体公司对美国的一些半导体公司BGA的别称。
右边的芯片是一种军用芯片封装（CQFP），这是在包装被放入晶体之前的样子。这种包装包装在军用品和航天工 有机会看到工业芯片。芯片槽旁边有厚厚的金隔板(高起来，照片不明显)，防止辐射等干扰。外围有螺孔，芯片可以牢牢固定在主板上。最有趣的是周围的镀金针脚，可以大大降低芯片包装的厚度，提供极好的散热。
表示带散热器标记。HSOP表示带散热器SOP。
表面贴装型 PGA。通常PGA插装封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的 底部有一个引脚，长度为1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板焊接的方法，也称为焊接PGA。因为引脚中心距离只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可以做的不是很大，引脚比插装型多(250~528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。包装基材包括多层陶瓷基材和玻璃环氧树脂印刷基材。多层陶瓷基材的封装已经实用。
J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC带窗户的陶瓷QFJ一些半导体制造商使用的名称。
无引脚芯片载体。是指陶瓷基板四侧只接触电极而无引脚的表面贴装封装。是高速高频IC包装，又称陶瓷QFN或QFN-C。
触点显示包装。即在底面制作一个阵列状态的坦电极接触包装。组装时插入插座。现在有227个实用触点(1.27mm中心距)和447触点(2).54mm陶瓷中心距)LGA，用于高速逻辑LSI电路。
LGA与QFP相比之下，可以用相对较小的密封容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI很适用。
芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
陶瓷 QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI 开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L，MCM-C和MCM-D三大类。
MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。
MCM-C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。
MCM-D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称（见SOP和SSOP）。部分半导体厂家采用的名称。
按照JEDEC（美国联合电子设备委员会）标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm的标准QFP（见QFP）。
美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可 容许2.5W～2.8W的功率。
QFI的别称，在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。
模压树脂密封凸点陈列载体。美国一些公司对模压树脂密封BGA采用的名称。
表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。
凸点陈列载体，BGA 的别称（见BGA）。
印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN（塑料LCC）采用的名称（见QFN）。引脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。
塑料扁平封装。塑料QFP的别称。部分LSI厂家采用的名称。
陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑LSI电路。成本较高。引脚中心距通常2.54mm，引脚数从64到447左右。了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256引脚的塑料PGA。另外，还有一种引脚中心距为1.27mm的短引脚表面贴装型 PGA（碰焊 PGA），（见表面贴装型 PGA）。
Piggy Back
驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN相似。在开发带有微机的设备时用于评 价程序确认操作。例如，将EPROM插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品。
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