为了吸收基极-射极间电压，设计了共射放大电路BE随温度变化(PN为-2.5mv/℃。另外MOSFET和IGBT有着正温度系数，其中导通电阻??dson随着温度的升高而增加。)工作点(集电极电流)不稳定，直流压降最好在1V以上。
由于密勒效应的影响，共射放大电路的带宽较窄，密勒电容bc由于共射放大电路的连接，构成低通滤波器的加倍低通效应。多级放大电路的通频带必须比其中任何一级窄，级数越多，越高 越低。共基共射级联放大电路可以克服，放大倍数不受影响。
共射放大电路是反向放大，因此输入信号的直流偏置越高，输出信号越低（饱和失真），偏置越低，输出信号越高（截止失真）。
指放大器输入为零时，输出不为零，随时漂移。主要原因是半导体元件参数随温度变化而不对称。
集成放大器由多级直流放大器组成。输入阻抗、输出阻抗和分布电容存在于每个级别的输入和上一个级别的输出之间R-C相移网络，信号通过这些网络产生额外的相移，外部偏置电阻和输入电容、输出电阻和容性负载反馈电容，以及通过电源的多级公共内阻，即使是电源线上的分布电容、接地不良等耦合也会形成额外的相移。
振铃是由反馈环节延迟产生的。如果反馈环节延迟，当输出电压延迟时 已达到正输入电压，但反输入电压已达到正输入电压 由于延迟未达到，输出电压为 继续上身，导致振铃。
当输出的信号通过负反馈回路叠加到180°附加相移和足够大的反馈最终会将负反馈变成正反馈，从而引起振荡。
解决方法：
①环内补偿:输出反馈电阻并连接反馈电容(相位先进)。
②环路外补偿：输出端串联小电阻。内输出电阻与外串联小电阻(反馈取样点)无相移。如果负载有一点容性(CL)输出电阻和负载、环路增益CL的作用下降低，同时相位和增益之间不再有比例关系，相位滞后称为决定性因素，使反馈环路失去稳定，最糟糕时可能导致振荡。因此，在输出端串联一个小电阻可以消除CL反馈环路相位滞后。
单时间常数RC电路的频率响应，增益曲线以-1斜率(-20dB/dec)下降-3dB(即电压传输系数降至中频值0.707倍(1√2)相位滞后(低通)或超前(高通)45°；在增益下降-20dB后相位相位滞后(低通)或超前(高通)90°，不再改变。
THD N总谐波失真和噪声反映了放大后的失真程度。
THD=(均方值/基波为高次谐波)*100%。当使用单个正弦波信号进行激励时，除了基频成分本身，基频谐波成分的能量也出现在频域上。这种失真是非线性失真，称为谐波失真。
当恒压输出的音频信号与系统连接时，扬声器产生的声压随频率的变化而增加或衰减，相位随频率而变化。
虚断虚短不是自动的，实现虚短需要三个条件：
①开环运放增益足够大；②负反馈电路；③放大电路工作的线性状态
电压反馈操作放大器的带宽和增益乘积是一个固定值，即增益带宽积（注：电流反馈操作放大器（跨导型）无增益带宽积）。在选择放大器时，需要留出100倍以上的余量，使放大器具有更理想的增益精度、失真和共模抑制比CMRR等。
指单位时间内（一般为微秒）设备输出电压值的可变范围，表示放大器全功率带宽的指标，表示大信号输入输出时的带宽指标。一般来说，高压摆率的工作电流也很大。其数学表达式为：SR=2?π???max??out??。当压摆率不足时，信号就会失真(比如输出正弦波变成三角波)。
建立时间是运输高速特性的重要参数，是指小信号的阶跃信号输出到指定误差范围（通常为0）的时间.1%或0.01%)。建立时间远小于。ADC采样时间。
由于实际运输的非线性特性和噪声，在输入纯正弦波时产生高谐波，而谐波失真和噪声的物理意义是谐波和噪声的总和占总输出的比例。影响THD N除了输出本身的设计外，输出信号的范围和压力摆动率也非常重要，因为当输出信号的范围超过输出范围时，输出被切割到顶部或底部，这类似于方波，会有大量的高谐波。同样，当压摆率不足时，输出类似的三角波，也有高次谐波。
将差分电压放大倍数与共模电压放大倍数之比定义为。CMRR随频率的增加而减少。
如果放电的供电电压发生变化Δ??s，内部晶体管的工作点会发生变化，其结果是输出o会有轻微的变化Δ??os