液晶屏包含液晶控制芯片 ILI9341，其内部结构非常复杂，芯片的核心部分位于中间 GRAM(Graphics RAM)，它是显存。GRAM 液晶面板的像素点对应于每个存储单元。它右侧的各种模块共同作用把 GRAM 存储单元的数据转换为液晶面板的控制信号，使像素点呈现特定的颜色，而像素点组合成完整的图像。框图的左上角是 ILI9341 主要控制信号线和引脚配置，芯片可以在不同的模式下工作，如每个像素点的位数 6、16 还是 18 位置；可配置使用 SPI 接口、8080 接口还是 RGB 接口与 MCU 进行通讯。MCU 通过 SPI、8080 接口或 RGB 接口与 ILI9341 通信并访问其控制寄存器 (CR)、地址计数器 (AC)、及 GRAM。 在 GRAM 左边还有一个 LED 控制器 (LED Controller)。LCD 对于非发光显示装置，它需要背光源来实现显示功能，LED 控制器用于控制液晶屏 LED 背光源。

FSMC（Flexible Static Memory Controller），翻译成灵活的静态存储控制器。STM32F1 使用系列芯片 FSMC 外设管理扩展存储器，可用于驱动，包括 SRAM、NOR FLASH 以及 NAND FLSAH 类型的存储器不能驱动，如 SDRAM 这种动态存储器在 STM32F429 在系列控制器中，它有 FMC 支持控制的外设 SDRAM 存储器。

由于 FSMC 外设可用于控制扩展的外部存储器 MCU 液晶屏的操作实际上是将显示数据写入显示器，与控制存储器非常相似， 8080 可以使用接口的通信时间序 FSMC 外设非常适合使用 FSMC 控制液晶屏。

1. 打开 STM32CubeMX 点击新建工程软件

2. 选择 MCU 和封装

在 Connectivity 中选择 FSMC 设置，并在 NOR Flash/PSRAM/SRAM/ROM/LCD 1 中选择 NE1 Chip Select 选择原理图中的片选择引脚NE1【选择Bank1的第一个区域是根据原理图的映射管脚进行选择的，这里选择不同区域对应的引脚是不同的

FSMC_NE 用于控制存储芯片的片选控制信号线，STM32 具有 FSMC_NE1/2/3/4 号引脚，不同的引脚对应 STM32 内部地址区域不同。例如，当 STM32 访问 0x68000000-0x6BFFFFFF 地址空间，FSMC_NE3 引脚会自动设置为低电平。由于它通常连接到外部存储器的片选引脚，且低电平有效，因此外部存储器的片选可以访问 0x60000000- 0x63FFFFFF 地址时，FSMC_NE1 会输出低电平。当使用不同的 FSMC_NE 当引脚连接到外部存储器时，STM32 访问外部存储的地址不同，以控制多个外部存储芯片。

• Memory type(设置要控制的存储类型): 选择 LCD Interface LCD接口
• LCD Register Select（RS引脚）： 选择 A16 ，RS脚是命令/数据选择位，也是根据原理图选择的。A16
• Data(设置要控制的存储器的数据宽度): 选择 16 bits 很明显，从原理图可以看出，有16个数据引脚，在这里选择16个bits就好

在 NOR/PSRAM 1 配置具体参数。

NOR/PSRAM control：

• Write operation(设置是否写使能): 选择 Enabled ，禁止写使能 FSMC 数据只能从存储器中读取，不能写入。
• Extended mode(是否设置扩展模式): 选择 Enabled ，在非扩展模式下，只使用存储器读写的顺序 FSMC_BCR 在扩展模式下，存储器的读写顺序可以单独配置，读时序使用 FSMC_BCR 写时序使用寄存器 FSMC_BWTR 配置寄存器。

介绍一个基本概念：

HCLK周期： 按STM32F默认配置103，HCLK的时钟频率为72MHz，即一个 THCLK 为 1/72us=0.0138us=13.8us。

NOR/PSRAM timing（FSMC阅读时序配置):

• Address setup time in HCLK clock cycles(地址建立时间): 填 0
• Data setup time in HCLK clock cycles(数据建立时间): 填 26

根据ILI9341时序配置FSMC读时序 NEx片选后，NOE要保持高电平一段时间，这个时间就是ADDSET地址建立时间(通过寄存器FMC_BTRx可配置）。 之后NOE变成低电平，读使能。低电平的维持时间从DATAST数据建立时间(通过寄存器FMC_BTRx可配置)决定。

• tast： tast 表示地址建立时间，最小为0ns 由时序图可以知道，FSMC在ADDSET周期之后，进入DATAST周期之后将会进行数据采样。 所以我们设置(ADDSET)HCLK的时间要大于等于tast地址建立时间。 (ADDSET)HCLK >= 0ns，(0)·13.8 = 0ns，所以ADDSET可以设置为0就可保证满足最小tast地址建立时间。

• trdlfm： trdlfm 表示读取数据低电平的时间，最小为355ns ILI9341时序图没有给出ILI9341操作数据线传输被读取的数据时的相关信息，我们最好做到满足其读取数据低电平的最小时间。 当然不做到也行，影响不大，只要在FSMC在DATAST的这个周期的数据采样中获取所有的要访问的数据就行。 (DATAST)HCLK ＞355ns，(26) * 13.8 = 358.8ns＞355ns，所以DATAST设置为26。

• Bus turn around time in HCLK clock cycles（总线转换周期）： 填 0 ，仅适用于总线复用模式的NOR Flash操作，所以这里设0。
• Access mode（存储器访问模式）： 选 A ，LCD控制器使用 Mode A ,该模式用来控制SRAM/PSRAM且OE会翻转。控制异步 NOR FLASH 时使用 B 模式。

NOR/PSRAM timing for write accesses（FSMC写时序配置）：

• Extended address setup time（地址建立时间）： 填 0
• Extended data setup time（数据建立时间）： 填 1

根据ILI9341时序配置FSMC写时序 NEx片选后，NWE要保持一段时间的高电平，这个时间就是ADDSET地址建立时间（通过寄存器FMC_BTRx可配置）。 之后NWE变为低电平，写使能。低电平保持的时间由DATAST数据建立时间（通过寄存器FMC_BTRx可配置）决定。

• tast： tast 表示地址建立时间，最小为0ns 由时序图可以知道，FSMC在ADDSET周期之后，进入DATAST周期之后将会进行数据采样。 所以我们设置(ADDSET)HCLK的时间要大于等于tast地址建立时间。 (ADDSET)HCLK >= 0ns，(0)·13.8 = 0ns，所以ADDSET可以设置为0就可保证满足最小tast地址建立时间。

• tdst、tdht： tdst：数据设置时间最小是10ns，在这个周期内WRX线处于低电平。 tdht：数据保持时间,与 twrh写控制高电平的最小时间相同,是10ns,在这个周期内WRX线处于高电平。 观察时序图，我们设置 tdst数据设置时间 为1HCLK（13.8>10）就能满足数据设置最小时间的要求,我们不需要考虑tdht数据保持时间(看上面模式B时序图,NWE变成高电平后,会持续1HCLK=13.8ns,默认满足tdht了)。 故我们只需考虑数据建立周期 DATAST 要大于10ns就行。 (DATAST)HCLK > 10ns，13.8>10 ，故DATAST 至少设置为1

• Extended bus turn around time（总线转换周期）： 填 0
• Extended access mode（存储器访问模式）： 选 A

查看 STM32CubeMX学习笔记（6）——USART串口使用

输入项目名和项目路径 选择应用的 IDE 开发环境 MDK-ARM V5 每个外设生成独立的 ’.c/.h’ 文件 不勾：所有初始化代码都生成在 main.c 勾选：初始化代码生成在对应的外设文件。 如 GPIO 初始化代码生成在 gpio.c 中。 点击 GENERATE CODE 生成代码

链接：https://pan.baidu.com/s/1W2PmfaDmv94yjvSeWvO0fw?pwd=o6cg 提取码：o6cg

加入野火的LCD驱动文件，屏蔽 ILI9341_Init() 中 GPIO 初始化 ILI9341_GPIO_Config() 和 FSMC配置 ILI9341_FSMC_Config()，因为 STM32CubeMX 工程在 main.c 里已经配置了。

加入 ILI9341_Init() LCD屏驱动初始化后，进行 LCD_Test() 测试。