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2016-01-06 回答
1．结构 单晶体管也是半导体器件。它的形状类似于普通的三极管，有三个电极，但只有一个结构PN结，故称单结晶管。如图1所示，它是在一块低掺杂(高电阻率)的N型硅基片一侧的两端各引出一个电极，称为第一基极B1和第二基极B2。硅片另一侧靠近B两个地方用半导体工艺掺入P型杂质，形成一个PN引出电极称为发射极E。单向导电性存在于单结晶管的发射极和任何基极之间。这样，我们就可以将单晶体管视为二极管D和两个电阻RB1、 RB2.等效电路。其中RB1和RB两个基极分别是两个基极PN结之间的电阻。两基极之间的电阻RBB= RB＋RB2，一般约有 2～15 kΩ。
图1 单结晶体管
2．工作特性
通过实验，我们可以根据图2的电路连接单结晶管，观察其工作特性。
图2 单结晶体管工作原理图
单结晶管工作时，需要在两个基极之间加直流电压VBB，且B2接正极，B1负极。当发射极不加电压时，RB两端分为电压
式中凡 用于单结晶管的分压比" "表示，所以
分压比是单结晶管的重要参数，其值与管道结构有关，一般为0.5～0.9之间。
调节Rp ，使 从零开始逐渐增加。当时，单晶体管内PN在反向偏置中，E和B1之间不能导通，电阻大，因此单晶管处于截止状态。
当 单结晶晶体管中PN结承受正电压导通，发射极电流突然增大。E、B1极之间所需的控制电压从截止日期突然变为导通，称为单结晶管的峰点电压。 表示。显然
单结晶管导通后E、B电阻在1极之间下降了很多，尽管此时 较大，但 上部压降不大，因此a点的电位较低。此时，即使将控制电压调整到低于峰值电压 下面，单结晶体管继续导通。直到控制电压 降低到一定值以下，使其降低到一定值以下PN当结再次反偏时，单结晶体管突然从导通变为截止。单结晶体管从导通到截止的控制电压称为单结晶体管的谷点电压。
综上所述，单结晶管具有以下特点：
(1)单晶体管相当于开关。当发射极电压等于峰值电压时 单结晶管可以从截止突变为导通。导通后，当发射极电压小于谷点电压时， 单结晶体管突然恢复。
(2)不同的单晶体管有不同的单晶体管 和 。如果添加相同的单晶体管 不同，它的 和 也有所不同。例如，型号是 BT33B若 ，则约等于12. 8 V， 约等于 3 V。若 ，则 约等于 6.7 V， 约等于2．6V。
(3)单结晶管发射极与第一基极之间的电阻 它是一种随发射极电流而变化的电阻。当单晶体管未导通时，发射极电流很小， 是高电阻。导通后，随着发射极电流的增加， 急剧下降 它是一种与发射极电流无关的电阻。因此，在单结晶管等效电路中， 用可变电阻表示。