NTMFS4C024NT1G NTMFS4C029NT1G N-CH 30V MOS管 晶体管 中文规格pdf
1、MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN 场效应管
型号：NTMFS4C024NT1G
年份：新
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET(金属氧化物)
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21.7A（Ta），78A（Tc）
驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 导通电阻(最大值)：2.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）：30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1972 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散(最大值)：2.57W（Ta），33W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
包装供应商设备：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
2、MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN 场效应管
型号：NTMFS4C029NT1G
批次：新
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET(金属氧化物)
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），46A（Tc）
驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 导通电阻(最大值)：5.88 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：18.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：987 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.49W（Ta），23.6W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线