VIPer12A电源开关IC
LK VIPer12A AC/DC PWM功率开关
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特点
? 宽电压 85~265Vac 输入
? 待机功耗小于 120mW@220Vac
? 集成高压启动电路
? 集成高压功率开关
? 9V~38V 宽 VDD 工作电压
? 电流模式 PWM 控制方式
? 内置过温、过流、过压、欠压锁
等待保护功能
? 兼容 VIPer12 管脚(不需
修改电路布线和变压器)
? 封装形式：DIP8、SOP8
应用领域
? 典型电磁炉 BUCK 电路应用方案
? 小功率充电器
? 小功率适配器
? 待机电源
? DVD、DVB 还有其他便携式设备
电源
概述
采用电流模式 PWM 功率开关芯片集成高压
启动电路和高压电源管为低成本开关电源系统提供了高性价比的解决方案
方案。
芯片 VDD 工作电压范围广，充电器领域应用方便。
提供过温、过流、过压、欠压等保护功能，保证系统的可靠性。
管脚图
DIP8 SOP8
输出功率表
输入电压 85Vac～265Vac 180Vac～265Vac
输出功率 8W 13W
注：输出功率 10W 建议根据实际计划增加散热措施：
? 增加独立散热器；
? 其它散热措施。
典型的示意电路图
v1.6
LK VIPer12A
LK VIPer12A
LK VIPer12A
LK VIPer12A
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内部方框图
内部电源
产生电路
--
8V/14.5V
前沿消隐电路
--
振荡电路
S
R1
R2 R3
0.23V
S2
R1
Q
Q
GND
DRAIN
FB
VDD
基准电路
LVDD
VREF
过温保护电路
欠压保护电路
S过压保护电路
VDD钳位电路 230ohm
1K ohm
驱动
管脚示意图
DIP8/SOP8
管脚说明
名称 管脚序号 管脚说明
GND 1,2 芯片地也是内置高压 MOS 管 SOURCE 端口
FB 3 反馈输入端口
VDD 4 芯片电源端，工作电压范围可达 9V——38V
DRAIN 5,6,7,8 内置高压 MOS 管的 DRAIN，同时，当芯片启动时，也要启动芯片
LK VIPer12A AC/DC PWM功率开关v1.6
LK VIPer12A
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极限参数
极限参数(TA= 25℃)
符号 说明 范围 单位
VDS(max) 芯片 DRAIN 脚最高耐压 -0.3～730 V
VDS(ST) 芯片启动时，DRAIN 脚最高耐压 -0.3～400 V
VDD 芯片电源电压 -0.3～38 V
Ivdd 嵌位电流 10 mA
IFB 最大反馈电流 3 mA
VESD ESD 电压 >4000 V
TJ 结温 -40～150 ℃
TSTG 存储温度 -55～150 ℃
热阻参数
符号 说明 单位
RthJA 热阻(1) 45 ℃/W
注(1):芯片应焊接 200mm2铜箔散热的 PCB 板材，铜箔厚度 35um，铜箔连接到一切 GND 脚。
电气工作参数
(除特殊说明外，下列条件均为 TA=25℃，VDD=18V)
符号 说明 条件
范围
单位
最小 典型 最大
BVDS 泄漏击穿电压 VFB=2V; ID=1mA 730V - - V
IDSS DRAIN 端关断态泄漏电流 VFB=2V; VDS=500V - - 0.1 mA
RDS(on) 源漏端导电阻 ID=0.2A - 19 - Ohm
VDDON VDD 开启电压 13 14.5 16 V
VDDOFF VDD 关闭电压 7 8 9 V
VDDHYS VDD 迟滞阈值电压 - 6.5 - V
VDDOVP VDD 过压保护阈值 - 39 - V
IDD1 VDD 工作电流 IFB=2.0mA - 0.4 - mA
IDD2 VDD 工作电流 IFB=0.5mA;ID=50mA - 1.0 - mA
IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V; VDD=5V - -220 - uA
FOSC 芯片振荡频率 - 60 - KHz
GID IFB/IDRAIN增益 - 320 -
ILIMIT 峰值电流阈值 VFB=0V - 400 - mA
IFBSD FB 关断电流 - 0.9 - mA
RFB FB 输入电阻 ID=0mA - 1.23 - Kohm