文章目录
- 前言
- 一、寄生参数
- 二、设备选型
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- 1.MOS管类型
- 2.Vgs电压
- 3.Id电流
- 4.Vds电压
- 5.开关性能
前言
MOS管设计重点
一、寄生参数
1.寄生电容 mos寄生电容器Cgs，这个电容的大小一般是pF一般规格书可以找到等级。 使用时要特别注意GS管教寄生电容器Cgs,控制MOS管道的导通和截止本质上是控制Cgs电容器充放电。(最好加限流) 2.体二极管 体二极管与正常二极管具有相同的特性，可采用体二极管进行接。
二、设备选型
1.MOS管类型
一般选择Nmos在相同的工艺条件下，管道导通电阻Ron更小，发热更低，允许通过的电流更大，型号更多。
2.Vgs电压
开启电压、驱动电压、极限电压
3.Id电流
通常尺寸越大，导电阻就越大Ron越小，允许的Id越大，以数据首册为准
4.Vds电压
主要考虑Vds防止击穿极限电压MOS管
5.开关性能
如果用作开关，需要考虑开关速率和性能，主要受寄生电容器的影响，因为开关过程需要充放电寄生电容器，造成开关损耗。