1、电子产品：30MHZ-50MHZ的EMI辐射理论分析！ - 维科号
2.收集历史上最全开关的电源传导和辐射超标整改方案
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4、辐射30mhz超标波形_百度搜索
EMC已成为电子产品/设备可靠性的重要组成部分；将越来越受到重视！尤其是我们的工业&消费品要求满足相应的认证和出口要求，相应的国家政策不断完善；国际贸易的深化；EMC技术已成为电子产品/设备必须通过的硬性指标！随着电子产品/设备的供电系统开始大量使用高频开关电源，并且越来越高端；因此，对电源环境的要求越来越高；EMC越来越重要！
我们经常遇到电子产品/设备EMI的问题；看过我的文章和听过我课的电子设计师；给我反馈结果；目前遇到了EMI问题取决于你的EMI滤波器设计规则 确实解决了我们的问题EMI-传导问题；以后我会对传导的滤波器技术进行更深入的分析！
电子产品/设备EMI-辐射问题；大多数设计师无法进入门槛！例如，30经常出现在我们的电子产品/设备中MHZ-50MHZ 特别是30MHZ左右的EMI-辐射问题；有时候还有！让我进行理论分析；我
实战方法！
我的分析是基于我过去20年的开关电源产品设计和开发；如果没有这么多年的开关电源设计经验和EMI一般没有人仔细研究理解；如果30MHZ对于大多数设计来说，有很高的机会出现这。MHZ频率必须由装置寄生参数和电路谐振产生；即：f=1/(SQRT(2，若为谐波分量
EMI分析更多的是在频域分析，而不考虑信号的相位因素！而是考虑信号的范围和频率！
再来看一下
其特点是频率高，脉宽窄；当上下沿变化时，基本相当于脉冲宽度。如果计算每个等距噪声差为14MHz，这说明有一个14MHz的Clock由信号引起，或在除频后有14MHz产生信号！
时钟的频谱可以看到以下等距噪声，即噪声的谐波！以下测试Data:
此时对于30MHZ-50MHZ，我们可以通过测试Data进行EMI-辐射的来源进行分析了；其处理方法 对时钟电路进行分析处理&RAM/CPU/MCU处理它的想法！
其特点是开关电源的工作频率是几十个KHZ到几百KHZ，脉宽要保证一定的宽度；当上下沿变化时，应注意其谐波频率范围。其特点是测试Data包络数据如下：
此时对于30MHZ-50MHZ，经验丰富的设计师知道它是由开关电源生成的EMI辐射问题；然后我们将理论分析这个频段的源机制！分析常用的电源架构！
FLY电路-12V/4A-分析说明
我将分析和计算上述基本电路结构= 30MHZ谐振参数理论计算&注意当前的开关MOS寄生电容参数！！我们可以通过下面的计算数据得到答案！
30MHZ谐振参数分析
FLY-1实际变压器参数测试：
测量变压器的泄漏感=5uH 左右
FLY-1了更高的性价比，1的方案设计使用6N60或7N65等MOS通用器件；
MOS-TK6A60D；MOS-DS
MOS-F7N65;MOS-DS
其特征的参数值参照曲线图如下：
开关MOS关断时；其VDS的电压在500V左右;其Coss也就几个PF左右！价值和选择MOS设备相关！
30MHZ-50MHZ谐振参数分析-A
30MHZ-50MHZ谐振参数分析-B
…请使用上述参数进行递推 同时检查使用的开关MOS电容参数曲线图！
BOOST-PFC电路>75W 功率等级
以上两个主要环路分析：
A. MOS管VT2开通时，L3&C5&VT2组成开关回路；注意它MOS-DS结电容和采样电路的谐振参数设计！
B. MOS管VT2关断时，VD1&C6&VT2组成续流回路；关注它MOS-DS结电容和续流电路的谐振参数设计！
让我们来看看我们的实际情况PFC电路板及布局布线设计！如下图所示：
让我们来看看高性价比。PFC系统：PFC-为了更高的性价比，2的方案设计>75W<200W电源系统使用9N50或10N60及以上等MOS通用器件
MOS-9N50；MOS-DS
MOS-10N60;MOS-DS
其特性的参数值参考其曲线图如下：
开关MOS关断时；其VDS的电压在400V左右;其Coss<200pF！其值跟选择的MOS器件有关联！
30MHZ-50MHZ的谐振参数分析-A
30MHZ-50MHZ的谐振参数分析-B
…请运用上面的参数进行递推 同时查看使用的开关MOS的电容参数曲线图！
LLC与PFC电路>75W 功率等级 会共同存在；也有例外的应用！
我们来看看LLC的额定负载的工作波形：
我们同样对LLC的MOS进行两个主环路分析（分析原理同上）;LLC的变压器及谐振参数其回路的磁场结构存在对称性；我们可以应用磁场的对消法则；我们发现LLC谐振开关变换的EMI干扰对比上面的两种结构其EMI干扰就比较小了；可以看出采用双端开关的软开关设计的EMI问题主要是MOS开关的上升沿和下降沿的谐波分量上；LLC在30MHZ-50MHZ的EMI辐射问题就变得简单！
由此可以得出：开关电源为什么/EMI-30MHZ到50MHZ前后超标几率高的问题！目前我们使用的开关MOS的寄生参数（器件选择）；开关管采样回路PCB走线的长度（1mm布线1mm走线近似1nH）都不知不觉的落到我们的谐振频率30MHZ-50MHZ的范围，并且是包络性超标；
我围绕EMI辐射的源头进行了理论分析；