4 特征参数被雪崩击穿
这些参数是 MOSFET 能够在关闭状态下承受过压能力的指标.如果电压超过泄漏的极限电压，设备将处于雪崩状态.
EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是一个极限参数 MOSFET 能承受的最大雪崩击穿能量.
IAR :雪崩电流.
EAR :重复雪崩击穿能量.
5 热阻
:从结点到外壳的热阻.它表明，当消散给定功率时，结温与壳体温度之间的差值.公式表达⊿ t = PD*.
:外壳对散热器的热阻具有同样的意义.
:与周围环境的热阻相同.
6 二极管参数在体内
IS :连续最大续流电流(从源极).
ISM :脉冲最大续流电流(从源极).
VSD :正向导通压降.
Trr :反向恢复时间.
Qrr :反向恢复充电.
Ton :正导时间.(基本可以忽略不计).
7.其他一些参数:
Iar: 雪崩电流
Ear: 重复雪崩击穿能量
Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量
di/dt---电流上升率(外电路参数)
dv/dt---电压上升率(外电路参数)
ID(on)---通态漏极电流
IDQ---静态漏极电流(射频功率管)
IDS---漏源电流
IDSM---最大泄漏电流
IDSS---当栅-源短路时，漏极电流
IDS(sat)---沟饱和电流(漏饱和电流)
IG---栅极电流(直流)
IGF---正向栅电流
IGR---反向栅电流
IGDO---当源极开路时，截止栅电流
IGSO---漏极开路时，截止栅电流
IGM---网极脉冲电流
IGP---网极峰值电流
IF---二极管正电流
IGSS---短路时截止电流
IDSS1-第一管漏源饱和电流
IDSS2-第二管漏源饱和电流
Iu---衬底电流
Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)
gfs---正向跨导
Gp---功率增益
Gps---高频功率增益
GpG---高频功率增益
GPD---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导
gds---漏源电导
K---电压温度系数失调
Ku---传输系数
L---负载电感(外电路参数)
LD---漏极电感
Ls---源极电感
rDS---漏源电阻
rDS(on)---泄漏通态电阻
rDS(of)---泄漏断态电阻
rGD---栅漏电阻
rGS---栅源电阻
Rg---栅极外接电阻(外电路参数)
RL---负载电阻(外电路参数)
R(th)jc---结壳热阻
R(th)ja---结环热阻
PD---漏极耗散功率
PDM---漏极最大允许耗散功率
PIN--输入功率
POUT---输出功率
PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)
Tj---结温
Tjm---最大允许结温
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tstg---贮成温度
VGSF--正向栅源电压(直流)
VGSR---反向栅源电压(直流)
VDD---漏极(DC)电源电压(外电路参数)
VGG---栅极(DC)电源电压(外电路参数)
Vss---电源电压(DC)(外电路参数)
V(BR)GSS---短路时，门源击穿电压
VDS(on)---泄漏通态电压
VDS(sat)---泄漏饱和电压
VGD---格栅漏电压(直流)
Vsu---源衬底电压(直流)
VDu---泄漏衬底电压(直流)
VGu---格栅衬底电压(直流)
Zo---驱动源内阻
η---泄漏效率(射频功率管)
Vn---噪声电压
aID---漏极电流温度系数
ards---泄漏电阻温度系数
二、在 在应用过程中，经常需要考虑以下特点：
1、 V ( BR ) DSS 正温度系数特性.在正常工作温度升高后，这与双极装置的特性不同，变得更加可靠.但也要注意低温冷启机的可靠性.
2、 V ( GS) th 负温度系数特性.随着结温的升高，门槛电位会有一定程度的降低.有些辐射也会降低门槛电位，甚至低于 0 电位.工程师需要注意这一特点MOSFET 在这种情况下，干扰误触发，特别是低门槛电位MOSFET 应用.因此，有时需要将栅极驱动的关闭电位设计为负值(指 N 型, P 类推)避免干扰误触发.阈值电压为负温度系数。 为了在辐射环境下关闭，阈值电压将迅速降至0MOS，需在GS加反压。
MOS的开关速度(即斜率)和温度毫无关系，但导通(0V到Vgsth温度越高，时间越短。
3、VDSon/RDSon 正温度系数特性. VDSon/RDSon 随着结温的升高而略有增加 MOSFET 直接并联使用变得可能.双极设备在这方面恰恰相反，因此并联使用变得相当复杂. RDSon 也会随着 ID 增有增加，这个特点和结和面 RDSon 正温特性 MOSFET 避免像双极设备这样的二次击穿. 额定电压高的MOS有更高的RDS正温度特性。
但需要注意的是，这一特性的效果相当有限。在并联使用、推拉使用或其他应用程序中，仍需要一些基本措施来完全依赖这一特征的自我调节.
这一特点也表明，在高温下，导通损耗会变得更大.因此，在计算损耗时应特别注意参数的选择.
4、 ID 负温度系数特性
ID 随着结温度的升高，会有相当大的减少.这一特性在设计中经常需要考虑的是它在高温下 ID 参数.
5、雪崩能力 IER/EAS 负温度系数特性.虽然结温升高后会使结温升高 MOSFET 具有更大的V ( BR ) DSS ,但是要注意 EAS 会有相当大的减额.也就是说，在高温条件下承受雪崩的能力比常温弱得多.
6、 MOSFET寄生二极管的导通性和反向恢复性能并不比普通二极管好.不期望在设计中使用它作为电路的主要电流载体.二极管串联堵塞，使体内寄生二极管无效，并通过额外的并联二极管形成回路电流载体.但是，在同步整流等短时间导通或一些小电流要求的情况下，可以考虑将其作为载体.
7、 漏极电位的快速上升可能导致栅极驱动的假触发 (spurious-trigger) .故在很大的 dVDS/dt 应用程序(高频快速开关电路)需要考虑这种可能性.
Rth(j-c)与PD的关系,Tc(环境温度)=Tj-Rth(j-c)*PD
另一方面，环境每上升一次，PD下降数值.(此参数不可靠)