文章目录
- 前言
- 一、如何理解奇模阻抗和偶模阻抗?
- 二、S求解参数矩阵
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- ==使用对称性==。
- ==2.使用奇偶模理论==
- ==3、根据ABCD矩阵与S参数矩阵的关系:==
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- 三、分析过程复盘
- 四、S矩阵物理意义
前言
当我第一次写这篇文章时,我很兴奋地发现网络的S参数矩阵可以通过网络和传输线理论来推导,而且是普遍的。
后面写着发现耦合微带线的结论可以与信号完整性的近、远端串扰相关。我又读了一本关于信号完整性的书,发现它的理论分析是基于它的和在此基础上,以电感和电容器为模型抽象电磁场的分布。那么什么是电感和电容器呢?在我的理解中,工程师们为了方便电磁场分析电路化。也就是说,电压和电流之间的关系被称为电感或电容器。。
同样的,为什么传输线理论在基尔霍夫电流电压定律的基础上延伸??众所周知,基尔霍夫电压定律用于低频线路分析,传输线理论用于高频分析。这些都是工程师将复杂的电磁场求解转换成电路求解模型简化。
一、如何理解奇模阻抗和偶模阻抗?
线与线之间的耦合会影响单个端口的阻抗。为什么阻抗会改变?。就电磁场理论而言,只有场分布是最重要的,电流和电压是场分布的积分形式。电路中阻抗的定义来自电流和电压。因此,阻抗归根结底来自场。只要场分布发生变化,电路中的阻抗就会发生变化。
为什么奇模阻抗和偶模阻抗不同?因为奇模激励和偶模激励场分布是不一样的。所以很容易理解,阻抗也就变了。
奇模阻抗Z0o:当port1和port加载奇模激励,port2和port4加载奇模激励时,端口的入射电压波与电流波之间的阻抗关系。此时,可以认为对称表面的电位为0,电场方向垂直于对称表面,可以认为在对称表面的位置增加电壁单根传输线的阻抗(电场垂直于边界面,如理想导体)。
例如,普通微带线的阻抗是Z0,增加电壁后,场分布变化,阻抗变化Z0因为加了电壁,另一条传输线是否存在并不重要,因为它不会改变场分布。
偶模阻抗Z0e:同样的,当port1和port3加载,port2和port4加载此时,对称面的磁场分布垂直于对称面。可以认为添加了磁壁(理想磁导体),
加电壁和磁壁的作用是去耦(去除耦合线之间的相互影响),奇偶模的本质也是去耦。!
: 当我们只在一个端口添加激励时,其他端口与阻抗匹配时,入射电压波与电流波的比值称为耦合线的特性阻抗Z0。为了不产生反射,将阻抗匹配到其他端口ZL=50Ω,要求Z0=ZL,为了保证端口没有反射,这种特性阻抗与奇模阻抗和偶模阻抗有什么关系?
已经推导出了微波工程一书(下面我们也将从网络的角度获得这种关系):
二、S求解参数矩阵
若网络有物理对称性,然后,通过对奇偶模理论的分析,了解了奇偶模和偶模的S参数矩阵,就可以找出该网络的S参数矩阵。下面分析一下这个过程。
四端S参数矩阵如下:
使用对称性。
port1和port3等价;port2和port4等价;有:
S11=S33;S22=S44;S12=S21=S34=S43;S13=S31;S24=S42;S14=S41=S32=S23
然后矩阵变成:
2.使用奇偶模理论
偶模激励:
奇模激励:
符号改写:Se=SA SB, So=SA-SB
奇模特性阻抗Z0o,偶模的特性阻抗Z0e。
传输线的阻抗是奇模阻抗,ABCD矩阵可以写成: 传输线的阻抗是偶模阻抗,ABCD矩阵可以写成:
3、根据ABCD矩阵与S参数矩阵的关系:
由此得到So和Se 那么: 端口匹配的条件S11=0,有: 同样的,S21计算过程如下,将Z02=Z0O Z0e带入下式简化:
定义耦合系数C: 有: 同样的S31也可以推导出来。过程如下(不愿意看公式推导的学生直接跳过)
同理可得S14=0
耦合微带线的S参数矩阵为: 当βl=π/2时,S参数矩阵简化为: 这是耦合微带线的S参数矩阵的推导,完全从传输线理论 网络理论推导。
三、分析过程复盘
第一步:从物理上抽象地理解什么是奇模阻抗&偶模阻抗
第二步:从S参数矩阵具有对称物理结构的特性,并与奇模矩阵和偶模矩阵有关;
第三步:从,得到奇模矩阵和偶模矩阵ABCD矩阵;
第五步:最终得到对称物理结构的S参数矩阵
四、S矩阵物理意义
1、port3与port1信号,port3与port2端口°;
2、port4是隔离端。如果网络理想对称,且端口理想匹配,那么port1与port4之间的隔离度为∞。
想到这里,的去看了关于信号完整性的书。:表层信号走线有很大的远端串扰,而内层走线的远端串扰为0。所以这是为什么呢?
原因就是!
表层走线为微带线,它传导的TEM波,而是波(也是由场分布来决定的),,也就是传输常数β不同,,在远端两个分量不能被完全抵消;内层走线是严格的TEM波,故奇模和偶模的相速度相同,也就没有远端串扰了。
1、远端串扰的饱和长度与奇模传播速度vo和偶模传播速度ve的差值有关,而这个差值很小,所以要很长的走线才能使共模分量和奇模分量的延时差等于Tr。所以远端串扰的饱和长度很长,远大于近端串扰的饱和长度。
2、线间距W对vo和ve的差有影响,所以也会影响饱和长度,W↑, vo- ve↓,饱和长度也越长。
3、Tr↓,共模分量和奇模分量的延时差更容易达到这个值,更容易饱和;
4、表层的远端的串扰增加的很快,噪声幅度很大,所以尽量不要在表层走很长的平行线。