晶圆是指用于制造硅半导体电路的硅晶片，其原料是硅。高纯度多晶硅溶解后与硅晶体晶种混合，然后慢慢拉出，形成圆柱形单晶硅。硅晶棒经研磨、抛光、切片后形成硅晶片，即晶圆。 
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。 集成电路(Integrated circuit,IC)制造技术的不断发展，芯片特征尺寸越来越小，互连层数越来越多，晶圆直径也不断增大。为了实现多层布线，晶圆表面必须具有较高的平整度、光滑度和清洁度，化学机械抛光(Chemical mechanical polishing, CMP)它是目前最有效的晶圆平坦化技术，与光刻、刻蚀、离子注入、PVD/CVD一起被称为IC制造五大核心关键技术。 IGBT芯片经历了一系列的迭代过程PT技术向NPT技术，再到现在FS技术升级使芯片变薄，降低热阻，提高热阻Tj。IEGT、CSTBT和MPT介绍；持续减少Vce，并提高了功率密度；通过表面金属及钝化层优化，可满足车用的高可靠性要求。 FS轻掺杂生产工艺N-作为起始材料，区熔单晶硅在完成前元胞生产后进行背面工艺。硅片减薄后，先将磷注入硅片背面，形成N buffer, 最后注入硼形成P collector, 金属铝在激活杂质后积累。 FS相对于NPT在加工过程中，硅片的碎片率增加了N型注入，硅片变薄。N-区域电阻小，使VCESAT更低；更薄N-层导通过程中存储的过载流子总量较少，减少了关闭时间和关闭损失。