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7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，小功率MOS管。7N脉冲正电流65ISM为28A，漏电流(ID)为7A，耐温范围为-55~150摄氏度。7N65的功耗(PD)为50W，静态泄漏导电阻(RDS(ON))为1.25Ω。7N65电性参数为：二极管正电压(VSD)为1.4V，反向恢复时间(Trr)为293nS，输出电容(Coss)为95pF，有三条引线。
型号：7N65
封装：TO-220AB
特点：小功率MOS管
电性参数：7A 650V
网极阈值电压VGS(TH)：30V
漏电流(ID)：7A
功耗(PD)：50W
二极管正电压(VSD)：1.4V
静态泄漏导电阻(RDS(ON))：1.25Ω
脉冲正电流ISM：28A
反向恢复时间(Trr)：293nS
输出电容(Coss)：95pF
贮存温度：-55~ 150℃
引线数量：3
7N65属于TO-220AB封装系列。本体长度为15.87mm，引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。
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