N : Negative, 正的； P：Positive，负的；

1.4> PN结电场

加上正偏置电压， 电池中的电子流向N区，电子浓度增加； P型半导体中的电子流向电池，P区域空穴增多； P区空穴，N区电子，浓度增加，PN结耗尽层减少，内电场减少； 当外部电场大于内部电场时，扩散运动将继续，电路导通；

加反向偏置电压； N区内电子会流向电池，空穴增多； 电池中的电子会流向P区，减少空穴； N区电子和P区空穴浓度降低，PN结耗尽层增大，内电场增大； 阻碍内电场增大 N区电子和P区空穴扩散运动，电路截止；

内电场增大，少子（P区电子和N区空穴)运动； 少子数量少，只能形成微小电流，几个微安左右；

PN结中能正向导通；

工艺：

发射区E；掺杂浓度高； 基区B：非常薄，掺杂硼浓度很低； 集电区： 面积很大；

集电极C电子首先去除集电极C电子；

iE: 发射结加正电压，增加扩散运动形成发射极电流； 由于 1-发射结加正电压，2-发射结电子浓度高，因此大量自由电子通过发射结到达基区；

iB:扩散到基区的电子基区，形成基极电流； 因为1-基区很薄，2- 穴位浓度低，3- 集电结又增加了反向电压，因此扩散到基区的电子只有少数与空穴复合，其余达到集电结；

iC：集电结加反向电压，在电场力作用下形成集电极电流； 由于 1-集电结加反向电压，2-结面积大，因此到达集电结的电子在电场作用下越过集电结到达集电区；

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