三极管与MOS管道驱动电路的正确用法分析
1、三极管和MOS管道的基本特性
三极管是用基极电流的变化控制集电极电流变化的电流控制装置。NPN型三极管(P型三极管)和PNP两种类型的三极管(以下简称N型三极管)如下:
MOS管道是电压控制电流装置，泄漏电流的变化由栅极电压的变化控制。MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS)，符号如下(这里只讨论常用的增强型)MOS管)：
2、三极管和MOS正确应用管道
(1)P型三极管适用于射极接头GND集电极连接到负载VCC只要基极电压高于射极电压(此处为)GND)0.7V，P三极管可以开始导通。
P型三极管导通由高电平驱动(低电平时不导通)；除了限流电阻，基极的最佳设计是下拉电阻为10-20k到GND，当基极控制电平由高到低时，基极可以更快地降低，P三极管可以更快更可靠地截止。
(2)N型三极管适用于射极接头VCC集电极连接到负载GND只要基极电压低于射极电压(此处为)VCC)0.7V，N三极管可以开始导通。
基极低电平驱动N型三极管导通(高电平时不导通)；除了限流电阻，基极的最佳设计是连接拉电阻10-20k到VCC，使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，N三极管可以更快更可靠地截止。
因此，如上所述：
对NPN对于三极管，最好的设计是负载R12连接到集电极和VCC之间。不够周到的设计是负载R12接在射极和GND之间。
对PNP对于三极管，最好的设计是负载R14连接到集电极和GND之间。不够周到的设计是负载R14连接到集电极和VCC之间。
这样，负载的变化就可以避免耦合到控制端。从电流的方向可以清楚地看出。
(3)PMOS，适合源极接VCC漏极负载到GND只要栅极电压低于源极电压（此处为）VCC)超过Vth(即Vgs超过-Vth)，PMOS可以开始导通。
格栅极低电平驱动PMOS导通(高电平时不导通)；除限流电阻外，栅极的设计更好，连接拉电阻为10-20k到VCC，当栅极控制电平由低变高时，栅极可以更快地被拉高，PMOS能更快更可靠地截止。
(4)NMOS，适合源极接GND漏极负载到VCC只要栅极电压高于源极电压（此处为）GND)超过Vth(即Vgs超过Vth)，NMOS可以开始导通。
高电平驱动栅极NMOS导通(低电平时不导通)；除了限流电阻，栅极的设计更好，下拉电阻为10-20k到GND，当栅极控制电平由高到低时，栅极可以更快地降低，NMOS能更快更可靠地截止。
因此，如上所述：
对PMOS最好的设计是负载R16接在漏极和GND之间。不够周到的设计是负载R16接在源极和VCC之间。
对NMOS最好的设计是负载R18接在漏极和VCC之间。不够周到的设计是负载R18接在源极和GND之间。
3、设计原则
为了避免负载变化耦合到控制端(基极Ib或栅极Vgs)精密逻辑器件(如MCU)集电极或漏极应连接负载。
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