这取决于你的应用场合。例如，它只能用于升压场合DC/DC，因为LDO是压降型，不能升压。另外，看各自的主要特点: DC/DC:效率高，噪音大； LDO:噪音低，静态电流小； 因此，如果在压降较大的情况下使用，则选择DC/DC，而且，因为效率高LDO会因为压降大而失去大部分效率； 如果压降相对较小，请选择LDO，噪音低，电源干净，外围电路简单，成本低。 LDO是low dropout regulator，与传统的线性稳压器相比，意思是低压差线性稳压器。传统的线性稳压器，如78xx输入电压高于输出电压2系列芯片v~3V否则就不能正常工作。但在某些情况下，这种情况显然太苛刻了，比如5v转3.3v,输入输出的压差只有1.7v，显然不符合条件。针对这种情况，才有了LDO类电源转换芯片。 LDO线性降压芯片：原理相当于电阻分压降压，能量损耗大，降压转化为热量，降压压差和负载电流越大，芯片加热越明显。这种芯片包装相对较大，易于散热。 LDO线性降压芯片如：2596，L78系列等。 DC/DC降压芯片：降压过程中能量损耗相对较小，芯片加热不明显。芯片包装相对较小，可以实现PWM数字控制。 DC/DC如：TPS5430/31，TPS75003，MAX1599/61,TPS61040/41 关于LDO电源 我以前经常看到芯片是什么LDO是的，以为是某个公司的名字。现在才知道，LDO是low dropout regulator，与传统的线性稳压器相比，意思是低压差线性稳压器。传统的线性稳压器，如78xx输入电压高于输出电压2系列芯片v~3V否则就不能正常工作。但在某些情况下，这种情况显然太苛刻了，比如5v转3.3v,输入输出的压差只有1.7v，显然不符合条件。针对这种情况，才有了LDO类电源转换芯片。生产LDO芯片公司很多，常见的有ALPHA, Linear(LT), Micrel, National semiconductor,TI等。 什么是 LDO(低压降)稳压器 LDO 它是一种线性稳压器。在线性区域内运行的晶体管或线性稳压器 FET，过度电压从应用的输入电压中减去，产生调整后的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压保持在额定值上下 100mV 输入电压与输出电压差的最小值。正输出电压 LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称 PNP。晶体管允许饱和，因此稳压器可以有非常低的压降电压，通常是 200mV 左右；相比之下，使用 NPN 传统的复合电源晶体管线性稳压器的压降 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为其传输设备，其运行模式和正输出 LDO 的 PNP设备类似。 更新的发展使用 CMOS 能提供最低压降电压的功率晶体管。 CMOS，电源设备的负载电流是通过稳压器的唯一电压降 ON 由电阻引起的。假如负载较小，这样产生的压降只有几十毫伏。 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ LDO VS DCDC DCDC意思是直流变(到)直流(不同直流电源值的转换)，只要符合这个定义，就可以称之为DCDC转换器， 包括LDO。但一般来说，通过开关实现直流变(到)直流的装置称为DCDC。 LDO这意味着低压降，有一段解释：低压降（LDO）成本低，噪音低，静态电流低， 这些都是它的突出优势。它需要很少的外部元件，通常只需要一两个旁路电容器。LDO线性稳压 输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA，电压降只有100mV。LDO线性稳 压力机的性能达到这一水平的主要原因是调整管采用P沟MOSFET，而普通的线 使用性稳压器PNP晶体管。P沟道MOSFET它由电压驱动，不需要电流，因此大大降低了设备本身的消耗 消耗的电流；另一方面，使用PNP为了防止晶体管的电路PNP晶体管饱和，降低输出能力 ， 输入输出之间的电压降不能太低；P通道MOSFET上电压降大致等于输出电流和导电阻 因为MOSFET导通电阻很小，所以上面的电压降很低。 如果输入电压接近输出电压，最好选择LDO稳压器可以达到很高的效率。因此，锂离子电是在使用中 池电压转换为3V输出电压的应用大多选择LDO稳压器。虽然电池的能量最终有10%没有使用 ，LDO稳压器仍能保证电池工作时间长，噪音低。 如果输入电压输出电压不太接近，则应考虑开关型DCDC从以上原理可以知道， LDO输入电流基本等于输出电流，如果压降过大，就会消耗LDO能量过大，效率低。 DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器具有效率高、输出大的优点 电流和静态电流很小。随着集成度的提高，许多新型DC-DC转换器只需要几个外部电感器和滤波电容器 然而，这种电源控制器的输出脉动和开关噪声较大，成本较高。 近年来，随着半导体技术的发展，表面电感器、电容器和高集成电源控制芯片 成本越来越低，体积越来越小。由于导通电阻很小MOSFET可以输出大功率，不需要 外部的大功率FET。例如对于3V使用芯片上的输入电压NFET可以得到5V/2A输出。第二，对 应用中小功率，可采用低成本小包装。此外，如果开关频率提高到1MHz，还能降低成本， 较小的电感器和电容器可以使用。一些新设备还增加了软启动、限流等许多新功能PFM或者 PWM方式选择等。 一般来说，必须选择升压DCDC是的，降压是选择DCDC还是LDO，成本、效率、噪声和性能 比较。 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~` LDO体积小，干扰小，输入输出电压差大，转换效率低。 DC-DC优点是转换效率高，电流大，但输出干扰大，体积大。 LDO一般指线性稳压器--Low Drop Out, 而DC/DC线性和开关稳压器的总称. 如果你的输出电流不是很大(如3)A以内), 而且输入输出压差不大(如3).3V转2.5V等)可以使用LDO稳压器(优点是输出电压)ripple很小). 否则，最好使用开关式稳压器， 若是升压， 只能使用开关稳压器(如果是ripple控制不好，容易影响系统工作). LDO的选择 当地设计的电路对分路电源有以下要求： 1． 高噪声和纹波抑制； 2． 占用PCB板面积小，如手机等手持电子产品； 3． 电路电源不允许使用电感器，如手机； 4． 电源需要具瞬时校准和输出状态自检功能； 5． 要求稳压器低压降低，功耗低； 6． 线路成本低，方案简单； 此时，选用LDO同时满足产品设计的各种要求，是最合适的选择