Micro LED技术发展趋势
AI ISP技术发展趋势
芯片发展趋势-toc" style="margin-left:0px;">硅光芯片的发展趋势
6G发展趋势
半导体技术的发展趋势
RISC-V发展趋势
包装发展趋势先进
第三代半导体发展趋势
DDR5发展趋势
屏幕摄像头的发展趋势
2021年已经结束，2022年已经开始。2022年半导体行业的哪些技术会影响今年的商业发展，哪些技术会改变半导体行业的市场格局？根据最新的市场信息和我们对未来技术发展的观察，总结了2022年半导体行业十大最受期待的技术趋势。
根据我们的判断，它们是：半导体工艺，RISC-V、第三代半导体，DDR5、6G(包括卫星通信)，Micro LED、AI ISP、 屏幕摄像头、先进包装、硅光芯片。
Micro LED显示技术对芯片的需求往往以万级甚至十万级单位计算。作为一种门槛很高的技术，Micro LED芯片仍存在许多技术问题。其中，巨额转移仍然是困扰行业进入量产环节的最大困难，即如何将数百万甚至数千万人转移Micro LED芯片从几寸小晶圆转移到Micro LED向上显示屏的驱动基板。
目前，市场上的巨大转移技术主要包括静电、磁力、辅助材料粘度和几何定位。前三种利用排斥和吸引力转换，或提高和消除辅助材料的粘度，实现批量芯片的吸附、对位和释放；后者将芯片切割成几何异形，然后混合到流体中，不断冲洗和蚀刻具有相同几何形状孔位置的基板，使芯片填充基板上的孔，完成巨大的转移链接。在Micro LED在技术发展的技术路径上，基板技术，Pick & Place巨额转移各有优势，但现阶段针对MiniLED来说，Pick & Place更加成熟，未来将向基板技术和巨大转移发展。
毫无疑问，高计算能力是AI ISP永远不会改变的方向之一。视觉行业的特点视频应用高分辨率、高帧率AI实时优化，因此对芯片算法和计算能力的要求只会越来越高。特别是在端侧计算能力环境中，需要更高的计算能力AI ISP与传统相比，功能将获得ISP更优的效果。
基于深度学习的智能降噪技术的发展也是不可忽视的一大帮助。除噪一直是除噪的主要帮助。ISP传统的重要功能NR该技术采用多级时域或空域滤波器，滤波器设计集成了多种异构类型，收入逐渐下降。基于神经网络深度学习的降噪技术可以显著提高信噪比，越多的技术制造商也将其作为下一个发展方向。
硅光芯片作为一种采用硅光技术的光芯片，是一种通过特殊工艺制造硅光材料和设备的新型集成电路。电子芯片的发展接近摩尔定律的极限，难以满足高性能计算增长的数据吞吐量需求。
硅光芯片用光子代替电子传输信息，可以承载更多的信息，传输更远的距离，具有计算密度和消耗高的优点。在400G光模块已进入全面商业部署，800G在样机开发和标准制定稳步推进光模块的背景下，1.6Tb/s光模块无疑是下一阶段发展的重点。显示硅光技术的超高速、超高密度、高可扩展性的首要任务是提高光互联速率，增加互联密度。
6G时代的新生态将首先挑战芯片技术。100Gbps速率、亚ms对通信能力和计算能力提出了更高的要求，6G因此，时代的芯片工艺必须走向1nm甚至更低的节点。同时6G终端不可避免地走向高集成、高复杂、低功耗。这些要求离不开系统级芯片和系统级包装。终端系统功能集成只有通过半导体芯片工艺实现，才能满足成本、周期、效率等方面的要求。
与此同时，6G芯片需要各种关键设备，也必须走上新的发展方向。这些必须通过新材料和新的物理机制来实现，从根本上解决传统设备在物理层面上的局限性。因此，碳化硅、氮化镓、氧化镓等新材料的工艺突破也是6G技术发展的重要组成部分。
2021年，半导体技术取得了重大突破，首先是手机SoC的全面5nm下一步是推进先进工艺HPC与AI芯片。台积电、英特尔、三星等厂商今年订购了多台EUV5.光刻机nm产能扩张及后续工艺准备。然而目前EUV技术不成熟，其产量和良率与过去相比DUV还有一定的差距。此外，扩建先进工艺的工厂建设周期不短，但成本极高。虽然各国各地区政府投入了大量资金，但先进工艺产能仍在缓慢推进，2022年供应形势仍有待观察。
光刻机制造商ASML下一代高度仍在研发中NA的EUV光刻机，但预计将于2024年正式投入使用，届时我们将真正进入2024年nm或是20A后来的时代。2021年可以说是3-5nm在先进工艺普及的第一年，我们将在2022年见证第一批4nm芯片陆续出现。与此同时，7nm之前的成熟过程仍然受到产能的影响，但在扩大产能的热潮过去后，较低的流片和生产成本必然是IoT等待市场带来新的机遇。
对于RISC-V2021年而言，2021年可以说是意义重大的一年。加入RISC-V基金会的公司和组织增长了130%，已经投放市场RISC-V在2022年和2023年，核心数量也有望超过20亿，这个数字将再翻一番。RISC-V2021年也迎来了15项新规范，进一步加强了虚拟机架构，ML推理等工作负载上的表现，为RISC-V它为汽车、工业和数据中心提供了更多的机会。
小到DSP，大到千核的AI半导体行业已经开始关注加速器RISC-V扩展潜力相继推出RISC-V芯片。这一趋势在中国更为明显，毕竟，RISC-V四分之一到三分之一的基金会制造商是国内公司。在此之前，从未有过如此巨大的开源框架影响。从Linux从最近基金会的密切合作可以看出。
尽管在高性能核心方面，RISC-V与ARM或x86头部仍有一定差距，但头部仍有一定差距IP在公司的努力下，毫无疑问，这一差距正在缩小，基于未来RISC-V手机和笔记本可能离我们不远了。对于渴望更快进入市场的初创或小型半导体公司来说，RISC-V成为低成本、高潜力的最佳选择。
随着疫情的进一步推进，人工智能的场景和需求不断增加，需要处理的数据量也呈现爆炸式增长，计算能力的增长成为解决这个问题最直接的途径。除了使用更先进的技术来提高晶体管的密度和PPA此外，异构计算也起着很大的作用，要实现异构计算，必然离不开先进的包装技术。
在行业看来，单单依靠摩尔定律是无法持续推动半导体创新，先进封装成了EDA、代工厂和IP厂商们主推的另一条蹊径。玩转了先进封装的芯片设计公司很有可能更快地实现弯道超车。
近年来第三代半导体产业备受关注，尤其是在电力电子领域，第三代半导体已成为电力系统高效、高速、高功率密度的代名词。随着“碳中和”目标日期的日益临近，具有耐高温、高频、高压和高功率密度的第三代半导体正式切入新能源赛道，推动绿色能源产业的发展，并有望成为绿色经济的中流砥柱。
在汽车电气化、网联化、智能化快速发展的推动下，车用半导体市场需求进一步扩大，高功率密度、高电能转换效率的第三代功率半导体开启了快速“上车”模式。同时，受益于能源革命，储能产业也迎来了发展的上升期。受绿色能源产业的影响，第三代半导体也进入了黄金的发展周期。
随着衬底产能的释放、材料价格下降、晶圆良品率提升和产线规模的扩大，进一步降低了第三代半导体与硅基器件的价格差距。乘着新能源产业发展的东风以及成本的不断下探，在未来第三代半导体将会迎来巨大的发展。
英特尔第12代Core处理器的发布，正式拉开了DDR5存储器发展的序幕。DDR5是DDR4的迭代，具有更高的频宽，峰值数据传输速率最高可达8.4Gbps，与DDR4相比传输速率提高了超过50%，同时DDR5也由DDR4的4个Bank群组提升至了8个，8倍的突发存取长度也从8倍提升至了16倍，综上所述，可以说DDR5在很多方面与DDR4相比，性能至少提升两倍或以上。
2021迎来了DDR5的商用元年，并且不少内存企业也陆续发布了DDR5内存产品，不过目前属于DDR5发展的初期，在同等的内存规格中，DDR5的价格甚至高出DDR4近一倍的价格，前期市场渗透率堪忧。此前Omdia也对DDR5作出了相关的市场预测，随着生产技术的进步与生产良率的提高，预计到2021年底，DDR5的市场份额占1.1%，而DDR4的占比超过一半，达到了51.5%。预计到2022年DDR5占比会提升至10.7%，2023年超越DDR4，但与DDR4的市场份额差距不大，直至2024年DDR5才能站稳脚跟，取得压倒性的胜利。
手机全面屏时代已经到来，但目前市场上都手机还都以刘海屏、水滴屏、打孔屏为主，仅有中兴AXON 30、小米Mix4等少数做到了真正的全面屏手机，之所以真全面屏手机还未能成为主流的最大影响因素，就是屏下摄像头技术限制的问题。水滴屏、打孔屏、刘海屏的设计，让本应显示画面的区域，因摄像头的存在而略显突兀。
随着人们的审美不断提升，推广屏下摄像头技术，发展真全面平已成为了手机产业的主要发展趋势。大胆预测，2022年屏下摄像头产品将会迎来产业的爆发，将手机产业推向一个新的高度。不过由于屏下摄像头方案成本较高的原因，屏下摄像头技术前期主要会分布在中高端手机应用中，相信在不久的未来，屏下摄像头技术将会在手机行业中全面普及。