什么是功率循环？ 功率循环power cycling顾名思义，芯片间歇流过电流产生间隙加热功率，从而波动芯片温度。由于热源是芯片本身的加热，因此通常称为主动加热。功率循环通常为3~5秒。 功率循环对IGBT模块损伤的机理主要是铜绑定线热膨胀系数不同于芯片表面铝层热膨胀系数、芯片热膨胀系数和DBC不同的板。损坏的结果主要是绑定线脱落、断裂、芯片焊层分离。 芯片焊层有两种分离方式。含铅焊层一般从边缘逐渐分离到中心，锡银焊层一般从中心逐渐分离到边缘。 如何测试功率和热循环？ IEC60749-34描述了可靠性实验电路连接的方法IEC60747-9描述了IGBT参数的测试方法，以及失效标准的判据。对于功率循环，如果器件的导通压降超过初始值的5%或者热阻超过初始值的20%，即判定为失效。 易恩电气，ENG采样计算机记录1220功率循环测试系统的结果。 ENG1220 功率循环试验台是正确的IGBT采用耐久性实验确认模块进行热循环负载试验的系统IGBT承受温度变化能力的可靠性试验，如模块内键合或内焊层。 通过正确的测试方法IGBT模块施加持续恒定的负载电流，加热半导体结，然后关闭电源，通过水冷迅速冷却。 本设备一般适用IGBT模块热循环负载试验。测试共串联12路，输出的加热电流为50A-1600A连续可调，可设置冷却时间、循环次数、电流大小，可实时监测各站阴阳极壳温度，具有超温保护功能。 对被测设备施加热电流，使受试设备的温度在规定的时间内达到规定的上限，结束加热；冷却水使受试设备的温度在规定的时间内冷却到不高于规定的下限，完成循环；重复完成规定的循环次数。 联系易恩：152 4920 2572