| 希望无所谓，无所谓。这就像脚下的路。其实地上没有路，走的人多了就成了路。 |
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1.为什么需要电源软启动？
（1）通常情况下，大功率系统需要考虑电源软启动；小功率系统可以不用考虑电源软启动。
大功率是指系统电流大，一般电源电路是：供电附近有一个小瓷电容器（一般为104电容器）用于过滤，过滤高di/dt；还有一个大于储能的大型电解电容，储能后提供后续负载的电流非常稳定。
因此，如果是大电流系统，储能电容的容值需要很大，比如3300uF或4700uF，甚至是几万uF。
系统上电的瞬间会产生高度di/dt，浪涌电流会干扰后面的电子系统，降低系统的抗疲劳能力，缩短寿命。
(2)因此，系统上电时需要解决浪涌电流的问题。如何解决？增加电路阻抗，减少di/dt值。但是，如果阻抗增大，后续负载输出的电流会变小；如果阻抗减小，浪涌电流的问题又出现了，比如串一个1R如果输入是24V，这个电阻的功率是24W，这种大功率电阻的价格很高，所以不合适。
那么该怎么办呢？它不仅可以避免浪涌电流，而且可以尽可能大地输出后续电路。同时，我们发现，为了解决浪涌电流的问题，必须增加阻抗，增加阻抗会减少电流输出，两者相互排斥。因此，两个问题不能同时解决，可以单独解决。 ?
2.解决方法
系统电路有严格的时序，整个系统可以从时序的角度分为两种状态：。 (1)系统正常工作 输出电流大，内阻大。
(2)系统初始上电状态 输出电流小，内阻小。
综上所述，设计电路，系统刚上电时，内阻大，电流小；当系统稳定时，内阻小，电流大。 ?
3.电路设计
系统输入为24V。 (1)系统正常工作
初始上电时，需要内阻大，可以在主干上串联100R的电阻（24V / 100R = 240mA，240mA电流不会产生浪涌电流的问题)。
(2)系统初始上电状态 系统稳定工作后，需要阻力R短路，使输出电流非常大。可以使用一个MOS管将R1短路。
MOS管选择： 因为它驱动小功率直流无刷电机，所以选择小电流MOS可以管道。在这里选择P型。MOS管NCE60P25K。 从这里可以看出，DS之间接60V的电压，可以长时间流过25A对于小功率电流BLDC足够了。
高压大电流MOS管，RDS(ON) 一般在50mΩ以上；低压小电流的MOS管，RDS(ON) 一般在几mΩ。NCE60P25K低压小电流MOS管，所以数据手册写的RDS(ON)小于45mΩ，其实已经很大了；但是RDS(ON)大的MOS管道更便宜。
注： RDS(ON) < 45mΩ，这意味着随着温度的升高，RDS(ON)会增加，但最大不超过45mΩ。P管的RDS(ON)一般大于N管RDS(ON)。
，100℃可通过的电流为17.7A。考虑温度是否超过100℃。
原理图：
只要系统正常工作，Q导通，也可以将Q1导通。任何回路都必须有阻抗，所以在gs电路中增加了电阻R2，R影响2的大小MOS管Q1的导通速度。
gs两者之间有一个极间电容C，如果Q当电容C的电压达到两端时，电流将首先向电容C充电MOS当管道的阈值电压时，MOS管道开始导通。电容C充电的电流大小(速度)是由电阻引起的R2决定的。
随着MOS逐渐导管，gs电压会慢慢接近24V，根据NCE60P25K根据数据手册，gs最大电压不得超过±20V，所以直接同24V的电，肯定会烧掉的。必须让gs电压远小于24V，怎么做呢？
用一个电阻R5对24V分压即可。
经过R5和R2对24V分压，a点电压为12V，所以MOS管Q1的gs电压大概为12V，设计符合要求(因为三极管的导通压降很小，只有0.3V，可以直接忽略)。
当MOS管道导通后，红色电路的电流 = 24V / (2K 2K) = 6mA，这种电流属于漏电流，是无用的，所以电阻值增加到10K，这个电流大约是1.2mA，比较合适。 但是R2电阻值大，会降低MOS管Q1.导通速度慢，Q1的导通损耗很大。但是这个软启动电路MOS当系统刚上电时，管道只有开关动作，所以影响不大，直接使用10K吧。
因为gs波形会有冲击，会导致开启损耗大，即发热严重。R5旁边并联一个小电容器(滤波)，电容器的容量不能太大，会导致太大MOS管道开启更慢(需要充电，会吸收部分电流，所以会延长MOS选择103电容(10纳法)到达开启电压时间。
使用稳压管设置阈值电压。选择12V，阈值越大，电流流经R时间越长，发热越大，功耗越大。当电容器C电压达到(12) 0.7)V时，三极管Q2开通。
电流流向：，这条路通过了，MOS管Q1 ds两者之间也有联系MOS管道内阻远小于1000R，因此，大部分电流从244开始V–>Q1的引脚3–>Q1的引脚1–>电容C1经过。R3的阻值为4K，是经验值。
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