今天的文章简单总结一下MOS以下是本文目录。
▉场效应管分类 场效应管分为结型(JFET)和金属-氧化物-半导体型(MOSFET)两种类型。 JFET英文全称是Junction Field-Effect Transistor，实际上几乎不需要N沟和P沟。 MOSFET英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，应用广泛，MOSFET一般称MOS管。
MOSFET增强型和耗尽型有两大类，每一类都有增强型和耗尽型NMOS和PMOS。 增强型MOS管的英文为Enhancement MOS或者EMOS，耗尽型MOS管的英文为Depletion MOS或者DMOS。 一般主板使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多一般用于信号控制，其次是PMOS，多用在电源开关等方面，耗尽型几乎不用。 ▉N和P区分
以下红色箭头指向G极NMOS，箭头背向G极PMOS。
▉寄生二极管 由于生产工艺，一般MOS有寄生二极管，有的又称体二极管。
红色标记为体二极管 从上图可以看出NMOS和PMOS寄生二极管方向不同，NMOS是由S极→D极，PMOS是由D极→S极。 寄生二极管和普通二极管一样，正接会导，反接截止日期。NMOS，S极端正时，D寄生二极管生二极管会导通，反之亦然；对于PMOS当D极端正时，管道，S极接负，寄生二极管导通，反之亦然。 在某些应用中，也会选择走体二极管来减少DS体二极管之间的压降比MOS同时要注意体二极管的过电流能力。 当满足MOS管道导通条件时，MOS管道的D极和S极会导通，此时体二极管处于截止状态 ，因为MOS管道的导通内阻很小，一般mΩ级别，流过1A级别的电流，也才mV因此，D极与S极之间的导通压降很小，不足以使寄生二极管导通，这一点需要特别注意。 ▉ 导通条件 MOS管道为压控型，导通G和S压差决定决定。
对NMOS来说，Vg-Vs>Vgs(th)，也就是说，G的压差大于一定值，MOS管会导通，但也不能太大，否则会烧坏MOS管道、开启电压等参数可见具体设备SPEC。
对PMOS来说，Vs-Vg>Vgs(th)，即S极与G极之间的压差大于一定值，MOS同样，具体参数取决于设备SPEC。
▉ 基本开关电路
NMOS管开关电路
当GPIO_CTRL电压小于MOS当管道打开电压时，MOS管截止，OUT通过R1上拉到5V，OUT=5V。
当GPIO_CTRL电压大于MOS当管道打开电压时，MOS管导通，D极电压等于S极电压，即OUT=0V。
PMOS管开关电路
PMOS管道最常用于电源开关电路，如下图所示GPIO_CRTL=0V时，SG极压差大于MOS当管道打开电压时，MOS管导通，5V_VOUT=5V_VIN。
▉ 不同于三极管
三极管是电流控制，MOS电压控制主要有以下区别：
1.只允许从信号源中选择少量电流MOS管道；如果信号电压较低，则可以从信号源中选择三极管。
2，MOS管是单极性装置(多数载流子导电)，三极管是双极性装置(多数载流子和少数载流子导电)。
3，有些MOS可交换使用管道的源极和漏极，栅极也可正负，灵活性优于三极管。
4，MOS管道应用广泛，可在很小的电流和很低的电压下工作。
5，MOS管道输入阻抗大，噪音低，MOS三极管，三极管损耗大。
6，MOS三极管常用作电源开关、大电流开关电路和高频高速电路的数字电路开关控制。
▉ G与S极串联电阻的作用
MOS管道的输入阻抗很大，容易受到外部信号的干扰，只要有少量的静电，就可以G-S极间等效电容器两端产生高电压。如果静电不及时释放，两端的高压很容易使MOS管产生误动作，甚至有可能击穿G-S极，起到固定电平的作用。
▉ G极串联电阻的作用 MOS管是压控型，有的情况下，为什么还需要在G极串联一个电阻呢？ 1，减缓Rds从无穷大到Rds(on)。 2.防止震荡，一般单片机I/O在电压突变的情况下，输出口会带来一些杂散电感，可能会与栅极电容形成LC串联电阻可以增加阻尼，减少冲击效果。 3.降低网极充电峰值电流。 ▉ MOS米勒效应管 关于MOS米勒效应管，可以阅读文章： 臭名昭着的MOS管米勒效应 ▉ 选型要点 1.电压值 关注Vds最大导通电压和Vgs在实际使用中，最大耐压不能超过此值，否则MOS管会损坏。
注意导通电压Vgs(th)，一般MOS根据单片机，管道由单片机控制GPIO选择适合导通阈值的电平MOS管道，并尽量保留一定的余量，以确保MOS可正常开关。
2.电流值 关注ID这个值代表电流PMOS管道能流过多少电流，反应带负载的能力，超过这个值，MOS管道也会损坏。
3.功率损耗 功率损失需要注意以下参数，包括热阻和温度。热阻是指当热量在物体上传输时，物体两端温差与热源功率之间的比值℃/W或者是K/W，热阻公式为ThetaJA = (Tj-Ta)/P，与功率和环境温度有关。
4.导通内阻 引导内阻关注PMOS的Rds(on)导通内阻越小，参数越小，PMOS管道损耗越小，一般PMOS管道的导通内阻都在mΩ级别。
5.开关时间 MOS作为开关设备，将有开关时间的概念。在高速电路中，尽可能选择输入和输出电容Ciss&Coss开关时间小Ton&Toff短的MOS确保数据通信正常。 推荐阅读参数解释文章：带你阅读MOS管参数「输入输出电容和开关时间」
6.封装 根据PCB板的尺寸，选择合适的尺寸PMOS在板载面积有限的情况下，尽量选择小包装；尽量选择常见的包装，以备后续选择合适的替代品。 ———————————————— 版权声明：本文为CSDN博主「曹野狐」遵循原创文章CC 4.0 BY-SA版权协议，请附上原始来源链接和本声明。 原文链接：https://blog.csdn.net/weixin_32821257/article/details/112181812