1.场效应管（FET）它是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体装置，属于电压控制半导体装置。输入电阻高(107~1015Ω）、噪音小，功耗低，动态范围大，集成方便，无二次击穿，安全工作区域宽。 2.场效应管的工作原理是漏极-源极流经沟通ID，用于栅极与沟道之间pn反偏形成的栅极电压控制ID”。 更正确地说，ID通过通道的宽度，即通道截面积，由pn结反偏差的变化导致耗尽层扩展变化控制。VGS=0的不饱和区域表示过渡层的扩展不是很大，根据漏极-源极之间添加VDS在电场中，源极区域的一些电子被泄漏极拉走，即从泄漏极向源极的电流ID流动。 过度层从门极向漏极扩展，形成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为断裂。这意味着过渡层阻挡了沟的一部分，而不是切断电流。 在过渡层中，由于没有电子和空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，电流通常难以流动。但此时，泄漏电极-源极之间的电场实际上是两个过渡层接触泄漏电极接近门极下部，因为漂移电场拉出的高速电子通过过渡层。漂移电场的强度几乎保持不变ID饱和现象。 其次，VGS向负方向变化，让VGS=VGS(off)，此时，过渡层大致成为覆盖整个区域的状态。VDS大部分电场添加到过渡层，将电子拉到漂移方向，只靠近源极的短部分，使电流无法循环。 3.作用： 1.场效应管可用于放大。由于场效应管放大器输入阻抗高，耦合电容器容量小，无需使用电解电容器。 2.场效应管输入阻抗高，非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器输入级作阻抗变换。 3.场效应管可用作可变电阻。 4.场效应管可轻松用作恒流源。 5.场效应管可用作电子开关。 场效应管APM4953KC-TRG 品牌：台湾茂达 型号：APM9435KC-TRG 类型：驱动IC 封装：SOP-8 批号：2013 扩展资料 场效应管和三极管各自的应用特点 1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的功能相似。 2.场效应管是由电压控制的电流装置vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，场效应管放大能力差；三极管是由电流控制的电流装置iB（或iE）控制iC。 3.场效应管栅极几乎没有电流（ig?0)；当三极管工作时，基极总是吸收一定的电流。因此，场效应管的栅极输入电阻高于三极管。 4.场效应管由多子引导；三极管有多子和少子载流子，受温度、辐射等因素影响较大。因此，场效应管比晶体管具有更好的温度稳定性和更强的抗辐射能力。当环境条件（温度等）变化较大时，应选择场效应管。 5.当源极金属与衬底连接时，源极和泄漏极可以交换，特性变化不大；当三极管的集电极和发射极交换时，其特性差异很大，β值会减少很多。 6.场效应管的噪声系数很小，场效应管应选用于低噪声放大电路的输入级和要求高信噪的电路。 7.场效应管和三极管可形成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，功耗低，热稳定性好，工作电源电压范围广，广泛应用于大和超大型集成电路。 8.三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。