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10N60-ASEMI高压MOS管10N60
型号：10N60
品牌：ASEMI
封装：TO-22AB
最大漏电流：10A
泄漏电压：6000V
RDS（ON）Max：0.85Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管道、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的10N60 MOS管
ASEMI品牌10N60采用工艺芯片，具有良好的稳定性和抗冲击性，可持续保证10N最大漏源电流1060A，漏源击穿电压600V.
?细节反映了差距
10N60,ASEMI品牌、工艺芯片、工艺制造、产品稳定性高、抗冲击性强。
10N60具体参数为：最大漏电流：10A，泄漏电压：6000V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220AB
