乍一看，这是数字电路中使用的倒相器，但实际上它也是模拟电路中的推拉放大器（Push-Pull）。由于管道的工作区域不同，应用场景也不同。

当输入信号时，如果输出端有容性负载 V i n V_{in} Vin增大时， V g s n ↑ V_{gsn}\uparrow Vgsn↑， V g s p ↓ V_{gsp}\downarrow Vgsp↓ 所以， I M 1 ↑ I_{M1}\uparrow IM1↑，导致电容放电速度加快。 I M 2 ↓ I_{M2}\downarrow IM2​↓，导致电容充电速度减缓。二者叠加，电容的净放电速度加快，说明此电路的动态响应很快！这是好事

在输入信号变化时，两管 V G S V_{GS} VGS​都变，同为放大管。 对P管来讲，N管是负载，对N管来讲，P管是负载，互为放大管，互为负载。 A v − C S = ( g m 1 + g m 2 ) ⋅ r d 1 / / r d 2 A_{v-CS}=(g_{m1}+g_{m2})\cdot r_{d1}//r_{d2} Av−CS​=(gm1​+gm2​)⋅rd1​//rd2​，相当于多放大了一倍 但是这种结构很难用起来

M1在饱和区的时候， V D S > V G S − V T N → V O > V i n − V T N V_{DS}>V_{GS}-V_{TN}\rightarrow V_{O}>V_{in}-V_{TN} VDS​>VGS​−VTN​→VO​>Vin​−VTN​ M2在饱和区的时候， V D S < V G S + V T P → V O − V D D < V i n − V D D + V T P → V O < V i n + V T P ， ( V T P < 0 ) V_{DS}<V_{GS}+V_{TP}\rightarrow V_{O}-V_{DD}<V_{in}-V_{DD}+V_{TP}\rightarrow V_{O}<V_{in}+V_{TP}，(V_{TP}<0) VDS​<VGS​+VTP​→VO​−VDD​<Vin​−VDD​+VTP​→VO​<Vin​+VTP​，(VTP​<0)

当静态工作点位于Q点附近时， I s t a t i c I_{static} Istatic​大，ClassA，全波放大 当静态工作点位于 V T N V_{TN} VTN​时， I s t a t i c = 0 I_{static}=0 Istatic​=0，ClassB，半波放大 当静态工作点位于 V T N V_{TN} VTN​右侧一点点时， I s t a t i c 略 > 0 I_{static}略>0 Istatic​略>0，ClassAB

平坦的区域作为逻辑器件使用，陡峭的部分是过渡区，可以作为推挽放大 但放大区域非常窄，斜率就是放大倍数，静态工作点难固定 在图中Q点时，两个MOS都位于饱和区，适合放大，但是流过的电流太大 假设Q点 V i n = V D D 2 = 2.5 V V_{in}=\frac{V_{DD}}{2}=2.5V Vin​=2VDD​​=2.5V， Δ = 1.5 V \Delta =1.5V Δ=1.5V， I = 1 2 k Δ 2 I=\frac{1}{2}k\Delta^{2} I=21​kΔ2 我们一般用的MOS管的过驱动电压大概为 Δ = 0.2 V \Delta =0.2V Δ=0.2V，所以电流比为 ( 1.5 0.2 ) 2 = 56 (\frac{1.5}{0.2})^{2}=56 (0.21.5​)2=56，电流增大了56倍，不能用

一般的，NMOS电流镜偏置NMOS，PMOS电流镜偏置PMOS，从电流镜的栅极引出。 现在输入端既偏NMOS又偏PMOS，所以需要改偏置才能更好地工作。

图中 V L S V_{LS} VLS​为直流电平移位，交流短路。 图中先偏置PMOS，然后M1的偏置为 V i − V L S V_{i}-V_{LS} Vi​−VLS​。直流偏置会使 I s t a t i c I_{static} Istatic​变小，趋于正常偏置，交流时电平移位短路，不会影响交流放大

1. 用MOS二极管结构来做 图5. MOS二极管电平移位

I = 1 2 k Δ 2 I=\frac{1}{2}k\Delta^{2} I=21​kΔ2 电流源电流可控，所以可以通过增大电流 I I I来增大 V G S V_{GS} VGS​，也可以降低 k k k，从而增大移位电平 MOS二极管结构的输入阻抗为 r i = 1 g m r_{i}=\frac{1}{g_{m}} ri​=gm​1​，低阻抗，交流小信号流过几乎不受干扰，近似短路

2. 用共漏放大结构来做 图5. CD电平移位

V G S = V i − V o V_{GS}=V_{i}-V_{o} VGS​=Vi​−Vo​， I = 1 2 k Δ 2 I=\frac{1}{2}k\Delta^{2} I=21​kΔ2 通过控制电流或者k，达到控制移位电平的效果 输入阻抗： r i = 1 g m 1 + g d 1 + g d − m i r r o r ≈ 1 g m 1 r_{i}=\frac{1}{g_{m1}+g_{d1}+g_{d-mirror}}\approx \frac{1}{g_{m1}} ri​=