一.选择题(每题2分，共30分)
1.以下关于双极模拟集成电路隔离区划分原则的不正确说法是( )
A．NPN管V C相同时, 可放置在同一隔离区
B. NPN管V C和PNP管的V E相同时, 可放置在同一隔离区
C. MOS电容需要单独的隔离区
D. 原则上，硼扩散电阻可以放置在同一隔离区
2.在版图设计中， 设计规则检查称为()
A. EXTRACT
B. ERC
C. DRC
D. LVS
3.差分对中， 不影响其共模抑制比的因素( )
A差分管的对称性
B.电流源的交流阻抗
C.输入电压范围
D.电阻R C1和R C2的对称性
4.在PMOS中, 衬底加正电压偏置， 会使阈值电压( )
A. 增大 B 不变 C 减小 D 可大可小
5.随着微电子工艺水平的提高， 特征尺寸不断减小， 此时，电路的工作电压将是()
A不断提高 B. 不变 C. 可大可小 D. 不断降低
6.下列()技术指标不能描述集成电路工艺水平？
A．集成度 B.特征尺寸 C. 芯片面积 D. 输入阻抗
7.CMOS推挽放大器NMOS管和PMOS管道分别工作( ).
A . NMOS截止区和线性区管理； PMOS管理在截止区和线性区域工作
B. NMOS饱和区和线性区管理； PMOS饱和区和线性区管理