规律总结：
纳米级MOS格氧瞬态击穿电压一般规律：
1.栅极氧化层越厚，相应的瞬态击穿电压越高；
2.TLP脉冲上升时间越短，网格氧化层瞬态击穿电压越低；
3.在沟道长度在微米量级时，瞬态击穿电压随着MOS随着栅氧面积的减积；
5.沟通长度和MOS当栅氧面积达到工艺精度最小值时，设备鲁棒性最差，栅氧瞬态击穿电压最低。
另外，在电路设计中需要注意的是，当射频电路中输入输出端需使用片上MOS电容作为滤波电容，或输入端MOS栅极暴露在ESD下面尽量避免使用最小的沟长，使用0.5um或上述沟长有利于提高栅氧击穿电压。MOS宽度W和叉指数F的乘积不能太小或太大，控制在200um左右为较好选择。
实验数据
首先针对两组相同宽长比（W/L)的NMOS和PMOS进行管栅氧结构TLP试验结果见表2.1, PMOS的栅氧TLP击穿电压与NMOS没有明显的差异。
其次，五组相同的叉指宽度（W)、沟长（L)和叉指数（F)的1.2V与2.5V的NMOS进行管栅氧结构TLP试验结果见表2.2。可见，厚栅氧NMOS击穿电压约为14V左右，远高于6V左右薄栅氧NMOS击穿电压。另外，由于薄栅氧MOS管道的栅氧厚度为几纳米，在纳米尺度下控制薄栅氧工艺的均钩比为2.5V的厚栅氧MOS管相对要难，造成了 1.2V MOS电压的个体差异略大。
15组沟的长度分别为0.06um变化到lOum，叉指宽度从lum变化到20um,叉指数从5变为40NMOS测试结构。分别使用10ns和0.2ns上升时间（Tr)的TLP脉冲对15组NMOS测试结果见表2.3。
可以总结出2.5V的厚栅氧MOS在TLP脉冲下的击穿电压为13 V ~15V之间，1.2V的薄栅氧MOS在TLP脉冲下的击穿电压为4V ~ 7V之间。
针对1.2V的NMOS,如图2.3所示，对比C3、C4和C可见沟长在0.5um ~ 10um范围内的变化TLP击穿电压影响不大。对比C5和C可以得出结论，沟长是0.5um叉指数从40减少到20，即MOSFET此时，栅氧面积减少了一半TLP击穿电压5.88V提高到了 6.94V。对比C7、C9、C11和C可以看出，当沟通长度从0开始时.5urn不断降低到0.06iim，栅氧面积不是主导因素，NMOS的TLP随着沟长的降低，击穿电压不断降低。对比C12~C可以看出，当沟长为0时.06um的NMOS栅氧面积不断减小WF=lum5时，TLP击穿电压降至4.25V。
通过对比表2.3中10ns上升沿和0.2ns上升沿TLP下击穿电压大部分测量MOS格氧击穿电压为0.2ns的上升沿TLP脉冲下比10ns上升沿TLP脉冲更低。这主要是因为在相同的100ns由于/ = C^,网格电容的瞬间漂移电流越大，网格氧更容易击穿失效。因dt这个，越快ESD脉冲（如CDM ESD脉冲），ESD保护装置越容易响应和打开，导致内部电路脆弱的薄氧化层结构过早损坏。
文章来源：<静电放电保护设计及先进技术下集成电路的可靠性研究>