G一般串联4级电阻.7R-100R，G级电阻串联反向二极管的目的是确保MOS管道的关闭速度比导通速度快(如果关闭速度比导通速度慢，驱动电机时会导致串宏，即上下桥同时导通。
对MOS主要参数如下：
1、Vdss即DS极耐压（Vdss）通常选择工作电压1.5--2倍；
2、漏极电流（Id）通常选择工作电流的5-10倍；PS：该Id指导通后的工作电流。静态漏电流越小越好。
3、Rds(on)尽量越小越好。此外，G极Vgs电压范围是±20V以内，几乎所有的MOS管都如此。
米勒平台：
我们知道，MOS管道损失主要在于mos管道能否快速导通和关闭。因此，米勒平台最大的影响是抑制mos管的导通和关断的时间。
为什么米勒效应会被抑制？mos管导通和关闭时间？G有结电容级有结电容Cgs，假设mos12完全导管V，4V如果初步导通，G级电压会产生4V米勒平台。
G级电压会对Cgs保持G级电压4V。初步导通时，D级电压=S级电压=0V(由于初步导通)G级电压会对Cgd充电，这个过程使4V米勒平台进一步延长，进一步减缓mos导管时间。