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碲化铋纳米线合成步骤

碲化铋(BiTe3)是V-VI主要元素化合物具有较大的分子质量,广泛应用于热电转换、拓扑绝缘性能研究、相变存储等领域。在常温热电材料中,热电转换性能较好。

合成步骤:

第一步称0.2 g在瓷舟中加入一种清洗过的石英管。将瓷舟放在管炉的热中心。x1 cm装有金-锡催化剂的硅片放在瓷舟下端16 cm放置反应前驱体和产品收集基板后,将石英管两端连接到气路管道,并使用橡胶密封圈确保气路密封。

第二步反应加热前,应清除气路中残留的空气。具体来说,打开真空泵,将系统压力泵到10,而无需进入气体 Pa左右:然后打开气体瓶阀,通过气体流量控制器较大的流速吹扫几秒钟;关闭气体负荷,将系统压力提取到10 Pa左右;重复这个过程三次,以确保反应系统的空气完全清除。

第三步是清除系统中残留的空气, 打开管式炉加热反应系统,加热速度控制在1 C/s。 同时调整载气流量,氢气流量为25 Sccm,氩气气流为25 Sccm.调整气路阀,将系统压力提高到70 KPa.

步骤4当温度达到48时 C保持温度后,反应开始计时;通过气路阀,确保反应系统压力稳定在70 KPa。

第五步反应30 min之后,停止加热,打开管式炉盖,打开气路阀,迅速将系统压力降至10 Pa附近;气流保持不变。反应系统自然会达到室温。

步骤6当系统温度达到室温时, 首先恢复系统压力的正常压力,关闭真空泵并加载气体。打开金属法兰,取出硅片,获得灰粉产品。

形状表征及结构分析图

纳米线TEM图谱 纳米线HRTEM图谱 对应SAED图谱

碲化锑(Sb2Te三、硅掺杂的晶化

锑纳米粒

与锑相变材料混合

氟化锶和

碲化铋(Bi2Te3)合金热电材料

碲化锑(Sb2Te3)I硫基半导体材料

碲化锑Sb2Te3纳米粉末

Sb2Te3系统拓扑绝缘体材料

碲化锑Sb2Te3二维薄片

铌基合金(Bi2Te3,Sb2Te3,Bi2Se3)

薄膜碲化锑Bi2Te3基热电材料

铌化铋/锑 (Sb2 Te3)合金-P型半导体固溶体

铋/硒化铋(Bi2 Se3)合金-N型半导体固溶体

锑基低维材料

热电材料料

硒碲化砷As2(Se1-xTex)3 化合物

低维纳米银/低维纳米银/Bi2Te三基热电复合材料

二维层属二维化物[Mn(en)3]Ag2Sn2Te8

金属三组元层状TaNi_2Te_2的合成材料

金属三组元锑化物CrNb_2Te_4的合成材料

合成材料的多金属

纳米晶体

Yb:(Lu,Gd)VO4多晶粉末合成及晶体

复合碱介合成棒状CdTe晶体

复合碱介质法合成立方形状CdTe晶体

球均匀尺寸和较小粒径)球状钽镉(CdTe)半导体纳米晶体

用核糖核酸酶修饰的(CdTe RQDs)

巯基乙胺(CA)/碲化镉CdTe量子点

近球形的CA-CdTe量子点

碲化镉CdTe半导体纳米晶体

RGD偶联RNase A-CdTe量子点纳米探针

表面改性荧光

可聚合表面活性剂修饰CdTe纳米晶

碲化镉CdTe纳米晶-聚合物复合微球

碲化镉CdTe纳米晶体/聚合物复合材料

量子点(CdTe QDs)/聚吡咯(PPy)纳米复合物

复合纳米粒

N-乙酰-L-稳定的半胱氨酸量子点

相反,微乳液反相反

水溶性聚合物包裹着CdTe纳米晶

ZnO/碲化镉CdTe核壳纳米棒阵列

聚合物基量子点

半导体纳米晶CdTe/聚合物复合材料

纳米晶可控合成材料

表面对氨基酚印聚合物

二氧化钛-BSA/ctDNA材料

复合膜纤维素细菌纤维素

绿色聚苯乙烯/铌化镉CdTe复合材料

CdTe聚合物复合膜

表面有氨基酚痕迹的聚合物表面的

硅烷化修饰CdTeQDs

碲化镉CdTe-SiO2-MIPsQDs

CdTe酸敏生物聚合物表面修饰

二极管

复合水凝胶材料CdTe/P(NMA-co-NVP)

CdTe复合膜

氯化镉纳米荧光猝灭法(Ⅱ)

CdTe/CdO·nH2O核壳纳米复合粒子

碲化镉(CdTe)纳米晶标记了抗银性δ抗体

化镉纳米薄膜

水溶性CdTe纳米晶荧光探针

p-类型的类型的类型

多元醇及其复合热溶剂合成

PNIPAM与CdTe荧光纳米颗粒复合物

水溶性铌化镉量子点

发射波长为546nm用量子点粉

硫化壳聚糖修饰CdTe QDs溶液

葫芦脲修饰

高单分散性

聚4-乙烯基吡啶表面改性碲化镉量子点

CdTe纳米晶体的合成和表面修饰

CdTe/Co复合量子点

用高发光的硫基乙酸饰CdTe量子点

铌化镉硫基乙酸-牛血清蛋白荧光探针CdTe@BSA

银/二氧化钛核壳纳米颗粒荧光增强

Ag/TiO2@CdTe荧光纳米颗粒的核壳

纳米晶高效硒化镉合金

多晶碲化镉(CdTe)薄膜

量子点

固载的金属有机骨架材料的量子点

纳米羟基磷灰石混合了纳米镉量子点

生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长生长生长的生长生长生长生长生长的生长生长的生长生长生长生长生长生长生长生长生长

碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_xTe)晶体三元化合物

碲锌镉Cd0.80Zn0.20Te多晶/单晶

点点点点点点点点点点点点点点

碲锌镉薄膜

wyf 01.05

标签: 546二极管

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