模拟电路学习:2020.3.20
- ：反向电压让PN多子朝两部分PN结的两端移动增加了空间电荷区的宽度，因此更难导电（外部电压和空间电荷区的电压通向增强，因此U=Ed，宽度增大）
- ：将一个小的交流电压信号转换为一个小的交流信号输出：直接输出不好，因为它远远不能达到导电电压，交流电有一般时间会使PN结截止–>因此，需要一个恒流电压源将其提升到可导电压范围（也相当于平移坐标系原点），并且可以使用该点的切线斜率（iu图)表示该PN结的等效电阻，交变电压源的电流可以直接输出
- ：be端导通（b电位高于e点，电位差达到PN结导通的电压约为600~700mv），而bc端截止，即c点电位高于b点电位(使用外部Vcc提高c点电位)
a. 放大效果有限，ic的最大值被Vcc和限流电阻Rc所限制：icmax = Vcc / Rc，随着ib不断增加，Uce会继续减少，最减少ic = icmax时，即Uce = 0时，如果三级管达到饱和状态，即ib再大（Ub再大），P点的电势会高于C点，PN结也将处于导通状态
- ***导通状态（开关的开）***：上下的两个PN结都处于导通状态，相当于一个导体，可以实现开关的开启功能。B点的电势高于C点和E点
a.如果Ubb和Ucc电压值相同，B点和C点的电位也可以通过不同的限流电阻来控制。例如，在C电路中连接电阻值较大的电阻会使C点的电位低于B点的电位PN结处于导通状态
- ***截止状态(开关关闭)***：上下两个PN结都处于截止状态，即CE两点的电位都比B点好，可以实现开关的功能
- ->以NMOS为例
- ：表面有SiO2绝缘层，包括源极（S）与基极（B）与导线相连，栅极（G）绝缘连接SiO2板上，GS之间连接电压（G点的电势较高），同时在B和漏极（D）还连接一个电压源
a.在G极加电压下，P衬底的多向下移动，使耗尽层变厚。同时，少子被吸引，聚集在上面形成N形沟，可视为电阻。电子带的宽度GB间压控制，UGB越大，电子带越宽，电阻也就越小（相当于是一个），
b.在BD在电压增加的过程中，高电位的一端通道会变窄（由于下电位增加，G和下电位差降低，电位差降低自然会降低通道宽度）
c.如果沟宽度降到极限，就会出现预夹断(但不是真正的夹断，如果是真正的夹断，那么BD如果两点的电势相等且为0，则GS之间的电势差会恢复沟道)，预夹断后会继续增加DS两者之间的电压会使沟道狭窄，而沟道狭窄会增加电阻，但可以保证电流的恒定，这也是由UGS来决定（）
- ：在SiO大量正电荷聚集在2内，自然形成UGS，所以此类MOS管道的G极可以添加反向电压来关闭N通道，也称为UGS（off），其他用法、原理和增强型MOS管完全相同
- ：中间是一个衬底(以P为例)，左右两侧是两块N，SD两极分别在衬底上下(等电位)，而左右两侧的N等电位为G极，此时在GS只能输入反向电压，使PN结的耗尽层宽度变大，中间导电部分变窄，最终会发生夹断
a.这种场效应管GS端不能输入正电流，否则P端电位会高于N端电位PN结导通导致场效应管失效甚至损坏