PN8611集成超低待机功耗原边控制器FB下偏电阻和电容，VDD供电二极管，CS电阻及650V智能功率的高雪崩能力MOSFET，充电器、适配器和内置电源用于高性能、超精简的外围元件。PN8611是原边反馈工作模式，可以省略光耦合和TL431。芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。
PN8611全电压实现12V1A输出的电源适配器芯片，PCBA尺寸：50.0mm*38.0mm*16.0mm，12W功率输出，待机功耗<75mW，平均效率：>83.26%，可满足CoC V5 Tier 2.可实现全电压±3%的CC/CV输出精度，市电异常保护，输出短路、VDD过压、FB上电阻异常、肖特基短路、过温等保护功能。
12v1a适配器方案亮点：
■集成度高，外围只有2个，供电电容1个，输出电压调节反馈电阻1个；
■利用高恒压恒流精度CP trim和FT trim技术，实现CC/CV 3%精度；
■高可靠性，准确保护市电异常；
■高转换效率，轻松满足多工作模式CoC V5 Tier 2能效标；
■卓越EMC性能，无Y无共模，EMC余量大于6dB
基于PN8611的12V1A适配器方案，在BOM当精简到21个元件时，方案仍然可以满足CoC V5 Tier 能效要求和安规，EMC有足够的余量来处理12V1A在激烈的适配器竞争中，力微电子提供了更多的利刃Demo的图纸、BOM、详细信息，如变压器设计、测试数据、应用点等。>>