有关IR自举电容及2104NMOS选择问题要点
有关IR自举电容及2104NMOS这是我第一次选择这个问题IR2104有一些问题，希望各位师傅能不遗余力地电机驱动电压170V，频率40KHZ，电流3A矩形波电路图如下所示C3,C4和Q1,Q2,Q3,Q4该如何选择？U1,U前面有隔离电路吗？
170v加光耦合，自举电容1uf低ESL低ESR即可。
是在U1,U2前加的吧
恩，前面加~
为什么要加？D3,D4,D5和D6.有什么作用？
为什么要加？D3,D4,D5和D6? "dead time management.
为mos管道放电最好提供低电路mosfet的gs间加个10k的电阻
然而，一位大师说限流电阻是33欧姆，所以D3,D4,D5，D6加不加都无所谓吗？
选择了电路图参数，大家帮忙看看是否合适
1N4004和10K其实也可以省~
能具体说一下吗？K电阻不能保证：关闭后栅极通过10存储的电荷K为了保证电荷的快速释放，电阻会迅速释放吗？N4004呢？
10K不能省，1N4004还是省下来吧，也是几毛钱NMOS附带二极管比1N4004高级的多
我也认为10K不能省觉得 adcr 老稻说的更有道理
都不能省。10K电阻用于保护GS1在关闭时不会被击穿N4004是续流用的，不能省。这里建议1N4004换成MUR二极管快速恢复超过160
我还想问问各位师傅自举电容C3,C4应该没有耐压要求吧
如果反并连续流管，应注意正压降。如果压降比二极管压降大，那不是悲剧吗？…肖特基或同步续流？
请教下GS间10K电阻的作用
LZ,我根据你的照片改变了它，自己做了一块。上半桥正常，但下半路中间MOS管一上电就有1A多电流输出。奇怪的是，电路没有短路，2104两端输出正常。原理图如下。
自举电容1uf低ESL低ESR即可。
20楼的图片，下面的半桥，为什么？HO接到低端MOS，LO接到了高端MOS呢？
有没有人用220做过？V ac整流堆整流流出来，然后用ir2104驱动mos管驱动电机的兄弟呢？
不加光耦有什么后果？
0楼歪才，想用信号控制2104(正相和反相)LO和HO输出电平不同，正确的方法是在2104信号输入端加反相器
Nmos不是自己带了二极管吗？为什么要加一个续流二极管？
你好，我想问一下为什么1N4004不能省，不是NMOS不是内部加了二极管吗？
你好，我想问一下为什么1N4004不能省，不是NMOS不是内部加了二极管吗？...如果内部有，可以省略。自举回路二极管应使用MUR系列，比较合适
如果内部有，可以省略。自举回路二极管应使用MUR这个系列更合适，但我看到了一些信息MOS内部二极管是寄生的，性能不是很好。MOS管理数据手册(例如IRF3205)其内部二极管可通过电流连续110A，性能很好。这让我很困惑。你能回答吗？
10K可以不要。
主动升压，C3,C4也可以省
有关IR自举电容及2104NMOS选择问题
主动升压，C3,C4也可以省兄台推荐电路吗？ 主动升压能占空比吗？
最好在驱动供电的地方加10000uf的电解电容
我的电路图有问题，先把它连接起来VB上二极管被快速恢复取代FR然后在电源上连接电解电容器V ...大神，你的电路驱动成功了吗？为什么我和你的电路一样不成功？
关于IR2104s 自举电容的取值问题
关于 HYPERLINK "/icstock/341/芯片。查了一些资料和很多人画的电路，都说自举电容的值对芯片能否正常工作有很大影响。然而，当其他参数相似时，不同人设计的电路自举电容的值并不统一。有没有使用过这个芯片的高人，指点一下究竟应该如何来取这个自举电容的值。比较合适。链接是我发现的关于如何取这个电容值得一提的文章，但是公式中有很多参数，比如icbs，vls，vmin代表的意义不是很清楚。请给我们一些建议。
通常按 HYPERLINK "/icstock/615/10UF.html" \t "_blank" 10UF取值即可
用 HYPERLINK "/stock-ic/0.1UF.html"