RC
计算吸收电路参数
首先，在实际的晶闸管电路中，它通常在两端并联
RC
该网络通常被称为串联网络
RC
电阻吸收电路
。
众所周知，晶闸管具有断态电压临界上升率的重要特征参数
dlv/dlt
。它表明晶闸
在额定结温和门极断路条件下，晶闸管从断态向通态的最低电压上升。如果电压上升
如果上升率过大，超过晶闸管电压上升率值，则无门极信号打开。即使在这个时候，
晶闸管的正电压低于其阳极峰值电压，这也可能发生。因为晶闸管可以看作是
是由三个
PN
结组成。
晶闸管处于阻断状态，由于各层相距较近，其
J2
结结相当于电容
C0
。当晶
当闸管阳极电压发生变化时，充电电流通过电容器
C0
，并通过
J3
结，电流启动门极触发
电流作用。如果晶闸管关闭时阳极电压上升过快，
C0
充电电流越大，就有可能
它可以导致晶闸管误导通行现象，即在没有触发信号的情况下硬开启，这是不允许的
是的。因此，应限制晶闸管上的阳极电压上升率。
为了限制电路电压上升率过高，保证晶闸管的安全运行，晶闸管两端并联
RC
阻容
吸收网络，利用电容器两端电压不能突变的特性限制电压上升率。因为电路总是有电感
的
(
变压器漏感或负载电感
)
，所以与电容
C
串联电阻
R
它可以防止阻尼
R
、
L
、
C
在过渡过程中，晶闸管因电容器两端振荡的过电压而损坏。同时，避免电容器通过
过晶闸管放电电流过大，导致过电流损坏。
由于晶闸管过流压能力差，
不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC
阻
容吸网是常用的保护方法之一。
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,l;l
2m8w
,w#e
L4E
%g
二、整流晶闸管
(
可控硅
)
阻力吸收元件的选择
电容的选择
5g9g-D1Y
5M4M
:O k
*H#Z
$J#r
C=(2.5-
5)×10
的负
8
次方×If
If=0.367Id
Id-
直流电流值
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_6j7
U6b2
U;?"
n&z
若采用整流侧
500A
的晶闸管
(
可控硅
)
可以计算
C=(2.5-
5)×10
的负
8
次方×500=1.25
-2.5mF
3dportal.cn5s
&B)\
)D/B
/g4M
9S
选用
2.5mF
，
1kv
的电容器
电阻的选择：
3dportal.cn*M
0t1S
5O-l
"B9S.V2O
R=((2-
4)×535)If=2.14
-8.56
选择
10
欧
PR=(1.5×(pfv×2
π
fc)
的平方×10
的负
12
次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=
三相电压的有效值
在实际应用中，阻容吸收回路，
RC
一般情况下，取时间常数
1~10
毫秒。
小功率负载通常取
2
毫秒左右，
R=220
欧姆
1W
，
C=0.01
微法
400~630V
。
三维网络技术论
坛
$Q3
s8O'
r H
N1p
大功率负载通常取
10
毫秒，
R=10
欧姆
10W
，
C=1
微法
630~1000V
。