在最后一篇文章中，我们介绍了反激电源的三个干扰源及其干扰原理。本文详细说明了三个干扰源的抑制措施。
这是PWM波形，从这张图中，我们可以看到驱动信号的边缘速率非常快，信号边缘速率越快，频率越高。因此，通过调整栅极电阻来降低电压变化率du/dt和电流变化率di/dt，因此，降低驱动速率必然会减少高频干扰。
这是不同边缘信号，边缘时间与频谱包络的关系，横轴是频率，纵轴是幅度，假设驱动方波的上升时间是t，方波频域高频转弯频率为1/(π*t)，t高频成分越小越高。如上图所示，红线代表边缘速度快的信号频谱。
增加电阻后，边缘速率降低，电阻越大，边缘速率越小，但导电时间延长，导电损耗增加，加热，会降低开关电源的效率电源的效率。通常，这种电阻在几欧元到几十欧元之间。一般来说，我们经常看到栅极加10欧电阻就是这个道理。
给RC增加二极管后，开关晶体管在截止瞬间电源经由二极管向电容C充电时，由于二极管顺向导通的压降很小，开关晶体管关闭时的过电压缓冲吸收效果与单个电容器相当。但是，当开关晶体管导通时，二极管的单向导电作用使得电容的放电只能经过串联电阻R它的作用和作用RC阻力缓冲吸收电路相当。所以RCD缓冲吸收比C和RC效果更好，这是针对MOS管的吸收。
看，开关MOS当管导通时，由于二极管反向，电容充电MOS当管道关闭时，变压器会产生反向电势，以阻止原始电流的减少。此时，电管储存的能量通过RCD电容器最终消耗在电阻上，从而抑制开关管关闭过程中变压器初泄漏引起的电压峰值。这就是RCD源抑制变压器原边电压尖峰的原理。
如图所示，仅表示MOS对地寄生电容器、变压器原侧副侧寄生电容器、次级对地寄生电容器等。事实上，这种寄生通道有很多，不限于这些，比如MOS地面寄生电容器通过变压器等。这些寄生通道容易干扰原边电磁，包括副边电磁干扰，导入地球，返回LISN会引起共模回路的形成EMI问题。一是传导骚扰测试LISN，另一种是形成更大的共模回路，增强辐射问题。
具体解决方案：开关电源二级冷地(整流二极管后铝电解电容负极)和原边热地(整流桥后铝电解电容负极)。，不要太小，不能达到效果，太大，会导致漏电流增加。
为什么要加电容？？让我们继续看。首先，当我们谈到开关电源的原理时，我们谈论原边和副边MOS，变压器和整流二极管都是强电磁干扰源。这些设备产生的噪声在高频时会产生寄生共模电路，因为电容器有各种寄生参数。
加了这个Y电容器完成后，相当于为二次干扰提供了一条回到原始边缘的路径。该路径的优点是干扰在电源内流动，切断到地面的路径，大大降低了传导干扰和辐射干扰的风险。也就是说，在开关电源设计中，工程师经常
理想情况下，共模信号根本无法通过变压器传输，这就是变压器隔离共模的原理。接下来，让我们来看看实际变压器的绕组。一般来说，我们使用更多的三明治绕组。
看这张图，红色箭头指的是变压器的初级绕组，绿色箭头指的是变压器的二次绕组。一般来说，变压器的初级电源较高，初级绕组较多。这种绕组相当于在初级绕组中间绕组次级绕组，类似于三明治，因此被称为三明治绕组。
另外，变压器初级两个绕层中间是次级绕组，所以同时降低了初级绕组之间的寄生电容。另外，虽然降低了初级漏感和寄生电容，但是由于次级绕组在两个初级绕组之间，此时，，
屏蔽变压器可用于减少初级二次耦合电容，切断初级二次耦合通道。
看上面的图，加了屏蔽层后初次级之间耦合电容就分成了两个，分别为初级绕组对屏蔽层的耦合电容，次级绕组对屏蔽层的耦合电容。在生产过程中，屏蔽层通常通过地线连接到变压器的原始热地，并将初级电磁干扰回到初级，从而隔离初级电磁干扰。一般在变压器的原边和副边之间加一层铜箔，目的是通过屏蔽层将原边干扰回到源头。
变压器用绝缘胶带在变压器外包裹一圈铜箔。我们都称之为变压器外屏蔽变压器。一般来说，为了防止磁饱和变压器的工艺设计，通常会打开一个间隙，从工艺上看，通常会打开变压器内部中心的铁芯。可减少漏磁，实际绕制时，也会故意将线圈绕在这个气隙位置。实际上，无论如何设计，边缘都会有漏磁。如果有漏磁，必然会在闭合电路中感应电压和电流。变压器会产生漏磁场，泄漏到外部空间。在高频应用中，强漏磁场会在输出端口的闭合电路上感应电压，导致EMI 测试结果变差。如果有外部屏蔽层，根据电磁感应原理，屏蔽层会感应电流，形成相反的磁场，抵消变压器磁场的影响。这就是变压器外部增加屏蔽的原理。
一种是线圈覆盖，可以减少线圈直接对外辐射。
一种是磁芯和线圈的覆盖，可以减少线圈辐射，也可以减少磁芯泄漏的外部辐射。需要注意的是，铜箔需要导电连接和关闭两端，屏蔽变压器的屏蔽需要两端开路。此外，铜箔不需要接地，接地后不能产生涡流，也不能从涡流反磁场中抵消源磁场。
减少反向回复电流是抑制尖峰的根本措施。
可适当选择恢复特性相对较软的软快速恢复二极管。例如，碳化硅二极管，几乎没有反向恢复问题，碳化硅二极管，价格相对昂贵，虽然反向恢复特性好，但尚未推广。
加磁珠，正向导通瞬间，可以抑制电流变化率，正向导通后，磁珠饱和，反向恢复的时候，同样，抑制反向电流变化率di/dt。一般磁珠选择60-80欧的锰锌铁氧体磁珠。
右边是MOS管，D极加磁珠，右边是大功率二极管，正极加磁珠。加磁珠，和刚开始说的栅极电阻，或者DS加电容，加RC不用担心损失。
加上整流二极管RC吸收也是抑制流二极管EMI一种常用的措施。当二极管反向关闭时，寄生电感中的能量充电寄生电容器，并通过吸收电阻R对吸收电容C当二极管快速正向导通时，充电，C通过R放电时，大部分能量会被消耗掉R通常，通过电容、充电和放电，可以降低电路中电流的变化率，有效抑制反向尖峰电压，电阻R=10-33Ω，C=33pF-1000pF。