开关电源EMI 在整改过程中，不同频段的干扰原因和抑制措施：
1MHZ 内部以差模干扰为主
1.增大X 电容量； 2.添加差模电感； 3.可采用小功率电源PI 类型滤波器处理(建议变压器附近的电解电容器 选择更大的)。
1MHZ—5MHZ—差模共模混合，采用输入端并联一系列X 电容过滤差触干扰，分析哪种干扰超标并解决， 1.过度调整差模干扰X 加差模电感器，调差模电感器 量; 2.对于共模干扰超标，可添加共模电感，选择合理的电感来抑制； 3.一对快速二极管也可以改变整流二极管的特性FR107 一对普 通整流二极管1N4007。
5M—以上主要是共触干扰，采用抑制共触的方法。对于外壳接地，用磁环绕地线2-3 圈会对10MHZ 上述干扰具有较大的衰减作用；可选用铁芯粘铜箔，靠近变压器， 铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
对于20–30MHZ， 1.对于一类产品，可以调整对地Y2 电容量或变化Y2 电容位置； 2.调整一、二次侧间Y1 电容位置及参数值； 3.将铜箔包裹在变压器外；变压器最内层增加屏蔽层；调整变压器各绕组 组的排布。 4.改变PCB LAYOUT； 5.在输出线前连接一个双线并绕的小共模电感； 6.输出整流管两端并联RC 调整合理的参数； 7.在变压器和MOSFET 之间加BEAD CORE； 8.在变压器输入电压脚上加一个小电容器。 9. 可以用增大MOS 驱动电阻.
30—50MHZ 普遍是MOS 管道高速开关关断， 1.可用于增加MOS 驱动电阻； 2.RCD 1.缓冲电路N4007 慢管； 3.VCC 供电电压用1N4007 慢管解决； 4.或者输出线前端串联一个双线并绕的小共模电感； 5.在MOSFET 的D-S 脚并联小吸收电路； 6.在变压器和MOSFET 之间加BEAD CORE； 7.在变压器输入电压脚上加一个小电容器； 8.PCB 心LAYOUT 大电解电容，变压器，MOS 构成的电路环尽可能 能的小； 9.变压器，输出二极管，输出由平波电解电容组成的电路环尽可能小。
50—100MHZ 一般由输出整流管反向恢复电流引起， 1.磁珠可串在整流管上； 2.调整输出整流管的吸收电路参数； 3.Y电容支路的阻抗可以改变一、二次侧跨接，如PIN脚处加BEAD CORE 或串接适当的电阻； 4.也可改变MOSFET，输出整流二极管本体向空间辐射(如铁夹) 卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点)。 5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射. 200MHZ 上述开关电源的基本辐射量很小，通常可以通过EMI 标准。
补充说明: 开关电源高频变压器一般是第一次之间的屏蔽层，以上没有装饰. 开关电源是高频产品，PCB 组件布局正确EMI.,请密切关注这一点. 如果开关电源有机械外壳，外壳的结构对辐射影响很大.请密切注意 此点. 不同厂家的主开关管和主二极管参数有一定的差异EMC 有一 定的影响.请密切关注这一点.