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ASEMI大功率MOS管90N10参数,90N10应用,90N10图示

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型号:90N10

漏源电压(VDSS):100V

连续漏极电流(ID):90A

栅源电压(VGSS):±20V

功耗(PD):125W

漏源漏电流(IDSS):100uA

网极阈值电压(VGS(TH)):3V

静态泄漏导电阻(RDS(ON)):8mΩ

输出电容(COSS):940pF

脉冲漏极电流(IDM):360A

漏源二极管正电压(VSD):1.2V

反向恢复时间(trr):65nS

封装:TO-220AB

总长度:29.7mm

本体长度:9.4mm

引脚长度:13.8mm

宽度:10.8mm

高度:4.8mm

脚间距:2.54mm

低栅极电荷

低输入电容

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt能力

标签: 115n10电容2513n10tc接近传感器

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