编辑-Z
20N10在TO-220AB电压VGS(TH)为4V，是中小功率MOS管。20N脉冲正电流10ISM为60A，连续漏极电流(ID)为20A，耐温范围为-55~150摄氏度。20N10的功耗(PD)为105W，静态泄漏导电阻(RDS(ON))为0.12Ω。20N10电性参数为：二极管正电压(VSD)为1.4V，关闭延迟时间(td(off))为40nS，输出电容(Coss)为500pF，其中有3条引线。
型号：20N10
封装：TO-220AB
特点：中小功率MOS管
电性参数：20A 100V
网极阈值电压VGS(TH)：4V
连续漏极电流(ID)：20A
功耗(PD)：105W
二极管正电压(VSD)：1.4V
静态泄漏导电阻(RDS(ON))：0.12Ω
脉冲正电流ISM：60A
关闭延迟时间(td(off))：40nS
输出电容(Coss)：500pF
贮存温度：-55~ 150℃
引线数量：3
20N10属于TO-220AB封装系列。本体长度为15.87mm，引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。