持久存储器通常是指停留在存储器总线上的高性能、字节搜索和非易失存储设备。MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）它们都声称具有相似的性能优势：低压操作、长寿命和非常高的速度。尽管在各种情况下，性能突破背后都有创新的材料技术，但他们以不同的方式实现这些目标。首创的MRAM通过将某些特殊材料暴露在磁场中，将数据位存储为存储单元中的电阻变化。FRAM与MRAM差别很大：它将位置存储在铁电材料中作为固定电位（电压）。下面介绍一个可替代的FRAM的Serial MRAM芯片MR25H256ACDF。
MR25H256ACDF是一种串行MRAM，其存储阵列逻辑组织为32Kx8.选择串行外围接口的片(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口(SPI)总线。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM允许使用闪存组件的命令子集MRAM更换同一插槽中的这些组件并共享SPI互操作在总线上进行。与可用的串行存储器替代品相比，串行MRAM提供优良的写入速度、无限的耐久性、低待机和运行功率以及更可靠的数据保留。
特征 ?无写入延迟 ?耐久性无限写入 ?数据保留20多年 ?断电时自动数据保护 ?块写保护 ?快，简单SPI时钟速率高达40MHz ?2.7至3.6伏电源范围 ?低电流睡眠模式 ?工业和汽车一级和三级温度 ?提供8-DFN Small Flag RoHS合规包装。 ?直接代替串行EEPROM、闪存、FeRAM ?工业级和AEC-Q1001级和3级选项 ?湿度敏感度MSL-3
Everspin Technologies, Inc设计制造和商业运输是分立的和嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 自旋转转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 面向数据持久性和应用程序的市场和应用。完整性、低延迟和安全性至关重要。Everspin 部署在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场以上 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品，为MRAM 用户为最强大、最快的增长奠定了基础。