这是第二次作业，基础不好感觉有点难。
我自己的答案如下。不保证仅供参考。
为了发表文章，以下凑字数
第六章练习： 已知：NMOS电子迁移率 , 网氧化层厚度 ，阈值电压 ，二氧化硅的介电常数是 ，真空介电常数为 。假定 =3V。所有设备尺寸均为有效值，单位均为微米。 1. 假设在图1所示的电路中 ， k ， 图1 (a) 如果 1mA， 在什么区工作？小信号增益是多少？ (b) 使 在线区域边缘的输入电压是多少？此时小信号电压的增加是多少？ (c) 使 进入线性区50mV输入电压是多少？此时小信号电压的增加是多少？ (d) 如果 1mA， ，电路输出电阻和小信号增益？ 2. 假设图1所示的共源级输出电压摆幅为1V到2.5V，假定 k ， (a) 计算 1V和 2.5V输入电压。 (b) 计算两种输出电压 管道漏电流及跨导。 (c) 输出电压从1V到2.5V变化，小信号电压增加， 变化多少？(小信号增益的变化可视为非线性)