了解stm32
ARM公司的高性能Cortex-M3”内核
1.25DMips/MHz,而ARM7TDMI只有0.95DMips/MHz
流的外设
1μs的双12位ADC,4兆位/秒的UART,18兆位/秒的SPI,18MHz的I/O翻转速度
低功耗
在72MHz时消耗36mA(所有外设都在工作),待机时降至2μA
最大集成度
结构简单,工具易用
参数
2.0V-3.6V供电
兼容5V的I/O管脚
优良的安全时钟模式
低功耗模式具有唤醒功能
内部RC振荡器
内置复位电路
-40工作温度范围°C至 85°C或105°C
101性能
36MHz CPU 多达16K字节SRAM 1x12位ADC温度传感器
103性能
特点
内核:
ARM32位Cortex-M3 CPU,最高工作频率为72MHz,1.25DMIPS/MHz。单周期乘法和硬件除法。
存储器:
片上集成32-512KB的Flash存储器。6-64KB的SRAM存储器。
时钟、复位和电源管理:
2.0-3.6V电源供电和I/O接口的驱动电压。上电复位(POR)、掉电复位(PDR)可编程电压探测器(PVD)。4-16MHz晶体振动。MHz RC振荡电路 kHz的RC振荡电路CPU时钟的PLL。带校准用于RTC的32kHz的晶振。
低功耗:
三种低功耗模式:休眠、停止、待机RTC备份寄存器供电VBAT。
调试模式:
串行调试(SWD)和JTAG接口。
DMA:
12通道DMA控制器。支持外设:定时器,ADC,DAC,SPI,IIC和UART。
3个12位的us级的A/D转换器(16通道):A/D测量范围:0-3.6V。双采样和保持能力。温度传感器集成在片上。
2通道12位D/A转换器:
STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE独有。
最多高达112个的快速I/O端口
:根据型号的不同,有26、37、51、80和112I/O端口,所有端口都可以映射到16个外部中断向量。除了模拟输入,一切都可以接受5V内部输入。
最多多达11个定时器
:4个16位定时器,4个定时器IC/OC/PWM或脉冲计数器。2个16位的6通道高级控制定时器:最多6个通道PWM输出。两个看门狗定时器(独立看门狗和窗户看门狗)。Systick定时器:24位倒计数器。驱动2个16位基本定时器DAC。
最多多达13个通信接口
:2个IIC接口(SMBus/PMBus)。5个USART接口(ISO7816接口,LIN,IrDA兼容,调试控制)。SPI接口(18 Mbit/s),两个和IIS复用。CAN接口(2.0B)。USB 2.0全速接口。SDIO接口。
ECOPACK封装:
STM32F103xx采用系列微控制器ECOPACK封装形式。
系统作用
1、集成嵌入式Flash和SRAM存储器的ARM Cortex-M3内核。
与8/16位设备相比,ARM Cortex-M3 32位RISC处理器提供了更高的代码效率。STM32F103xx微控制器带有一个嵌入式的ARM核,所以它可以与一切兼容ARM工具和软件。
2、嵌入式Flash存储器和RAM存储器
:内置多达512KB的嵌入式Flash,可用于存储程序和数据。多达64KB的嵌入式SRAM可以以CPU读写时钟速度(不等待状态)。
3、可变静态存储器(FSMC)
:FSMC嵌入在STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE中间个片选,支持四种模式:Flash,RAM,PSRAM,NOR和NAND。3个FSMC中断线经过OR后连接到NVIC。没有读/写FIFO,除PCCARD此外,代码由外部存储器执行,不支持Boot,目标频率等于SYSCLK因此,当系统时钟为72时MHz外部访问按36进行MHz进行。
4、嵌套矢量中断控制器(NVIC)
:可处理43个可屏蔽中断通道(不包括)Cortex-M3.16条中断线)提供16个中断优先级。紧密耦合的NVIC中断处理延迟较低,中断入口向量表地址直接传输到内核,紧密耦合NVIC内核接口允许中断提前处理,支持尾链,自动保存处理器状态,中断退出时中断入口自动恢复,无需指令干预。
5、外部中断/事件控制器(EXTI)
:由19条边缘探测器线组成的外部中断/事件控制器。选择触发事件(上升、下降或两者都可以)或单独屏蔽每条线。悬挂寄存器以维持中断请求的状态。外部线的长度超过内部APB脉冲在2时钟周期,EXTI能够探测到。多达112个GPIO连接到16个外部中断线。
6、时钟和启动
:启动时应选择系统时钟,但复位时内部8MHz选择晶振CPU时钟。外部4-16可以选择MHz时钟,并将被监视以确定是否成功。在此期间,禁止控制器和软件中断管理。同时,如有必要(如遇间接晶振失败),PLL时钟的中断管理完全可用。多个预比较器可用于配置AHB包括高速在内的频率APB(PB2)和低速APB(APB1),高速APB最高频率为72MHz,低速APB最高频率为36MHz。
7、Boot模式
:启动时,Boot三种用于引脚Boot选择一种选项:从用户:Flash从系统存储器导入,从SRAM导入。Boot通过系统存储器导入程序USART1重新对Flash存储器编程。
8、供电方案
:VDD ,电压范围为2.0V-3.6V,通过外部电源VDD为引脚提供I/O内部调压器。VSSA和VDDA,电压范围为2.0-3.6V,外部模拟电压输入ADC,复位模块,RC和PLL,在VDD范围之内(ADC被限制在2.4V),VSSA和VDDA必须相应连接到VSS和VDD。VBAT,电压范围为1.8-3.6V,当VDD无效时为RTC,外部32KHz晶振和备份寄存器供电(通过电源切换)。
9、电源管理
:设备有完整的上电复位(POR)和掉电复位(PDR)电路。这条电路一直有效,用于确保从2V启动或掉到2V做一些必要的操作。当VDD低于特定下限VPOR/PDR设备也可以保持在复位模式下,无需外部复位电路。该设备具有嵌入式可编程电压探测器(PVD),PVD用于检测VDD,并且和VPVD比较限值,当VDD低于VPVD或者VDD大于VPVD会产生中断。中断服务程序可以产生警告信息或MCU安全状态。PVD软件使能。
10、电压调节
:调压器有三种运行模式:主(MR),低功耗(LPR)和掉电。MR调整模式(运行模式)用于传统意义上,LPR待机模式用于停止模式:调压器输出电阻高,核心电路断电,包括零消耗(寄存器和SRAM内容不会丢失)。
11、低功耗模式
:STM32F103xx支持三种低功耗模式,在低功耗、短启动时间和可用唤醒源之间达到最佳平衡。只有CPU停止工作,所有外设继续运行,在中断/事件发生时唤醒CPU;停止模式:允许保持最小功耗SRAM以及寄存器的内容。1.8V该区域的时钟停止,PLL,HSI和HSE RC振荡器被禁止,调压器也被置于正常或低功耗模式。从停止模式中唤醒设备。外部中断源可使16个外部中断线之一,PVD输出或者TRC警告。待机模式:追求最小功耗,关闭内部调压器,1.8V区域断电。PLL,HSI和HSE RC振荡器也关闭了。除备份寄存器和待机电路外,进入待机模式后,SRAM寄存器的内容也会丢失。当外部复位(NRST引脚),IWDG复位,WKUP引脚出现上升或上升TRC警告发生时,设备退出待机模式。进入停止模式或者待机模式时,TRC,IWDG时钟源不会停止。
以STM32F103RBT以该型号的芯片为例,该型号由7个部分组成,其命名规则如下:
STM32 | STM32代表ARM Cortex-M32位量控制器制器 |
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F | F代表芯片子系列 |
103 | 代表增强型系列 |
R | R这个代表引脚,其中T代表36脚,C代表48脚,R代表64脚,V代表100脚,Z代表144脚,I代表176脚。 |
B | B这一项代表内嵌Flash容量,其中6代表32K字节Flash,8代表64K字节Flash,B代表128K字节Flash,C代表256K字节Flash,D代表384K字节Flash,E代表512K字节Flash,G代表1M字节Flash。 |
T | T这一项代表封装,其中H代表BGA封装,T代表LQFP封装,U代表VFQFPN封装。 |
6 | 6这一项代表工作温度范围,其中6代表-40——85℃,7代表-40——105℃。 |