所有了解电脑的朋友都知道内存。然而，许多朋友对内存的理解可能仅限于SDRAM和DDR SDRAM事实上，这两种类型的内存有很多种。从能否写入的角度可以分为RAM(随机存储器)和ROM(只读存储器)这两类。每一类都有很多种内存。让我们来看看什么样的内存！
一、RAM(Random Access Memory，随机存储存储器)
RAM其特点是：当计算机启动时，操作系统和应用程序中所有正在运行的数据和程序都将被放置在其中，存储在其中的数据可以随时修改和访问。它的工作需要由持续的电力提供。一旦系统关闭，存储在其中的所有数据和程序都将自动清空，无法再恢复。 根据组件的不同，RAM内存分为以下18种:
01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器) 这是最常见的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位置作为电荷存储在存储单元中，并使用电容器的充放电作为存储动作。但由于电容器本身存在漏电问题，必须每几微秒刷新一次，否则数据将丢失。存取时间与放电时间一致，约2~4ms。由于成本相对便宜，通常用作计算机中的主存储器。 02.SRAM（Static RAM，静态随机存储器) 静态是指内存中的数据可以在不需要随时访问的情况下长期存储。每六根电子管组成一个位置存储单元。由于没有电容器，可以正常运行，无需持续充电。因此，它可以比一般的动态随机处理更快、更稳定，通常用于高速缓存。 03.VRAM（Video RAM，视频内存） 其主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效减轻绘图显示芯片的工作负担。采用双数据端口设计，一个是并行数据输出端口，另一个是串行数据输出端口。主要用于高级显卡中的高端内存。 04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，动态随机存取存储器的快速页切换模式） 改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT读写数据时，必须每次发送出行地址和列地址。而FRM DRAM触发行地址后，如果CPU所需地址在同一行中，可连续输出列地址，无需输出行地址。由于一般程序和数据在内存中排列的地址是连续的，因此所需的数据可以在输出行地址后连续输出列地址。FPM将记忆内部分成许多页数Pages，从512B到数KB不读取连续区域内的数据时，可以通过快速页面切换模式直接读取每个数据page内部数据大大提高了读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代初期，FPM DRAM广泛使用。 05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器) 这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样存取每一个BIT 在读写有效数据之前，必须输出旅行地址和列表地址并稳定一段时间，然后才能读写下一个BIT输出前必须等待读写操作完成。因此，它可以大大缩短等待输出地址的时间，其访问速度一般比FPM模型快15%左右。一般用于中档以下。Pentium后期的486系统开始支持主板标准内存EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。 06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，动态随机存数据输出动态随机存取存储器 这是改进型EDO DRAM，它是由美光公司提出的，它在芯片上添加了一个地址计数器来跟踪下一个地址。这是一种突然的读取方式，即当数据地址发送时，剩余的三个数据只需要一个周期就可以读取，因此可以一次访问多组数据，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM内存主板很少，只有少数提供支持(比如VIA APOLLO VP所以很快就会被抓住DRAM取代了。 07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器) MoSys公司提出的内存规格内部分为不同类别的小型存储库 (BANK)，也就是说，它由几个小单位矩阵组成。每个存储库以高于外部数据的速度相互连接。一般用于高速显示卡或加速卡，也有少数主机板L2高速缓存。 08.WRAM（Window RAM，随机存储存储器的窗口) 韩国Samsung公司开发的内存模式是VRAM内存改进版的区别在于其控制线有一、二十组输入/输出控制器，并采用EDO数据访问模式相对较快，并提供区块移动功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作。 09.RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存储存储器) Rambus一种由公司独立设计的内存模式，速度一般可达500~530MB/s，是DRAM超过10倍。然而，内存控制器在使用内存后需要相当大的变化，因此它们通常用于专业图形加速适应卡或电视游戏机的视频内存。 10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器) 这是一种与CPU实现外频Clock168Pin工作电压为3的内存模块.3V。 所谓clock同步是指内存可以和谐CPU同步访问数据可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，从而提高计算机的性能和效率。 11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存储存储器) SDRAM改良版，它用块Block，即每32bit对于基本访问单位，单独收回或修改访问数据，减少整体内存读写次数。此外，还增加了绘图控制器，以满足绘图的需要，并提供区块移动功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。 12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器） 一般的SRAM是非同步，适应CPU速度越来越快，需要使其工作时脉与系统同步，即SB SRAM原因。 13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管道爆发式静态随机存储存储器) CPU外频速度的快速提高对匹配的内存提出了更高的要求，管道爆炸性SRAM取代同步爆发式SRAM由于能有效延长访问时脉，有效提高访问速度，因此成为必然选择。 14.DDR SDRAM（Double Data Rate同步动态随机存取存储器的二倍速率） 作为SDRAM替代产品有两个特点：一是速度比SDRAM两倍的改进；二是采用DLL（Delay Locked Loop：延迟锁定电路)提供数据滤波信号。这是当前内存市场的主流模式。 15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存储存储器) 这是一种扩展型SDRAM结构内存不仅增加了更先进的同步电路，而且改进了逻辑控制电路，但由于技术显示，投资实用性并不小。 16.CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存储存储器) 这是三菱电气公司开发的第一项专利技术DRAM芯片的外插针和内插针DRAM插入一个SRAM作为二级CACHE使用。现在，几乎一切CPU都装有一级CACHE随着效率的提高CPU时钟频率成倍增加，CACHE不选择对系统性能的影响会越来越大，CACHE DRAM提供的二级CACHE只是用来补充CPU一级CACHE因此，它可以大大提高CPU效率。 17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双速动态随机存取存储器) DDRII 是DDR原有的SLDRAM1999年联盟解散后，现有研发成果和DDR整合后的未来新标准。DDRII详细规格尚未确定。 18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM) 它是下一代的主流内存标准之一Rambus 公司的设计和开发是将所有接脚连接到一个共同点Bus，这不仅可以减少控制器的体积，还可以提高数据传输的效率。
二、ROM(READ Only Memory，只读存储器)
ROM它是线路上最简单的半导体电路。它是通过掩模工艺一次性制造的。件正常工作时，代码和数据将永久保存，无法修改。一般用于PC系统的程序码、主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)等等。其读取速度比RAM慢很多。 根据组成元件的不同，ROM内存分为以下五种: 1.MASK ROM(掩模只读存储器) 为了大规模生产，制造商ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后大量复制。这个样本是MASK ROM，而烧录在MASK ROM数据永远无法修改。它的成本相对较低。 2.PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器) 这是一种可以用刻录机写入的信息ROM内存只能写一次，所以也叫一次只读存储器(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM出厂时，存储的内容都是1，用户可以根据需要在数据0(部分)中写入一些单元PROM出厂时数据全部为0，用户可将部分单元写入1)， 实现编程的目的。 3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器) 这是一种可擦除功能，擦除后可重新编程ROM内存在写入前必须用紫外线照射内容IC清除卡上的透明窗户。这种芯片更容易识别，包括一个编程的石英玻璃窗EPROM芯片的石英玻璃窗一般用黑色不干胶纸盖住， 防止阳光直射。 4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器) 功能与使用方法相结合EPROM同样，区别在于清除数据，大约是20V清除电压。此外，它还可以用电信号写入数据。ROM内存多用于即插即用（PnP）接口中。 5.Flash Memory(快闪存储器) 这是一种可以直接在主板上修改内容而不需要IC拔下的内存，当电源关闭时，存储在其中的数据不会丢失。写入数据时，必须先清除原始数据，然后再写入新数据。缺点是写入数据的速度太慢。 SDRAM、DDR第10类和第14类见第一类。
SDRAMSynchronous Dynamic Random Access Memory）：为同步动态随机存取内存，是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。SDRAM之所以成为DRAM就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因为刷新（Refresh）是DRAM最重要的操作。SDRAM是多Bank结构，例如在一个具有两个Bank的SDRAM的模组中，其中一个Bank在进行预充电期间，另一个Bank却马上可以被读取，这样当进行一次读取后，又马上去读取已经预充电Bank的数据时，就无需等待而是可以直接读取了，这也就大大提高了存储器的访问速度。SDRAM亦可称为SDR SDRAM（Single Data Rate SDRAM），Single Data Rate为单倍数据传输率，即在一个周期内只能读写1次。 DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：为双信道同步动态随机存取内存，是新一代的SDRAM技术。别于SDR（Single Data Rate）单一周期内只能读写1次，DDR的双倍数据传输率指的就是单一周期内可读取或写入2次。在核心频率不变的情况下，传输效率为SDR SDRAM的2倍。允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据。DDR内存Prefetch（数据读预取）为2bit。 DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）：为双信道两次同步动态随机存取内存。它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍以上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch提升至8 bit，即每次会存取8 bits为一组的数据。DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更为省电。DDR3也新增ASR（Automatic Self-Refresh）、SRT（Self-Refresh Temperature）等两种功能，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率，以确保系统数据的完整性。吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点。 DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）：DDR4相比DDR3最大的区别有三点，16bit预取机制（DDR3为8bit），同样核心频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。
DDR5和DDR4主要在带宽速度、单芯片密度以及工作频率等方面有区别。带宽速度上，DDR5为32GB/s,DDR4为25.6GB/s;； 组装电脑怎么搭配更好用 这些点很重要 看过你就懂了
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单片芯片密度上，DDR5单芯片的容量为16GB，DDR4单芯片的容量为4GB；工作频率上，DDR5工作频率达4800MHz以上，DDR4最低为1600MHz。具体区别如下：
1、带宽速度方面：DDR4的带宽为25.6GB/s，DDR5的带宽为32GB/s。 2、单片芯片密度方面：DDR4为4GB的单片芯片密度，单条内存的最大容量达到128GB；而DDR5会有单片超过16GB的芯片密度，可以达到单条更高容量。 3、工作频率方面：DDR4的最低的工作频率标准为160MHz0，最高工作频率为3200MHz；而DDR5的工作频率高达4800MHz以上，最高频率达到6400MHz。 4、功耗方面：目前DDR4内存的单条功耗为1.2V，DDR5内存的功耗将进一步降低到1.1V。