组成：电源 复位 时钟 调试接口 启动 1、电源 ： 一般3.3V LDO供电 加多个0.01uf去耦电容 2、复位：有三种复位方式：上电复位、手动复位、程序自动复位 通常低电平复位:(51单片机高电平复位，电容电阻位置更换) 上电复位，上电瞬间，电容充电，RESET由电阻和电容器共同决定，计算方法如下：t = 1.1RC(固定计算公式) 1.110K0.1uF=1.1ms 需求的复位信号持续时间约为1ms左右。 手动复位：按键时，RESET与地导通，产生低电平，实现复位。 对于复位电路，由电阻、按钮和电容器三个部件组成。电阻用于消耗和限流。电容器主要采用电压不能突变的原理。当然，按钮是电路的通断。电源3.3V突然连接，在没有按钮的情况下，电容器会保持0，因为电极板的电压不能突变，所以电容器的两端仍然会保持0V，但是上面的电源是3.3V，于是乎RESET就会有3.3V的电压。但一旦达到一定时间，电容器的两端就会充满电，即3.3V，即电源等电位，等电位相当于无电压，即0，所以一段时间后RESET就会变成0V，从RESET从3.3V到0V这一次变化很快，肉眼很难察觉，但只要检测到高电平，电路就会复位，因此单片机复位完成了自动上电复位。 3、时钟 ： 晶振 起振电容 （反馈电阻MΩ级） 使用内部时钟： 对于100脚或144脚的产品，OSC_IN应接地，OSC_OUT应悬空。 2)对于少于100脚的产品，有两种接法: i）OSC_IN和OSC_OUT分别通过10K电阻接地。此方法可提高EMC性。 32.768KHZ： 只有高速外部时钟可以选择8MHZ或 既多接一个32.768MHZ外部低速时钟。 32.768KHZ时钟作用： 用于精确计时电路 万年历 通常会选择32.768KHz原因是32768=2^15、嵌入式芯片分频设置寄存器通常以2次幂的形式设置，15次分频后很容易1次HZ频率。实现精确定时。用于精确定时电路 万年历 晶振：一般选择8MHZ 方便倍频 有源:更稳定 成本更高 需要连接电源供电 不需要外围电路 3脚单线输出 无源:精度基本足够 方便灵活 便宜 最大的区别:是否需要单独供电 无源晶体振动需要外部振动电容器：晶体振动两侧有两个电容器 OSC——OUT不接，悬空 作用： 1.晶体振动两端的等效电容等于或接近负载电容； 2.过滤晶振波形中的高频杂波； 振动电容的大小一般为10~40pF，当然，根据不同的单片机使用手册，如果手册上没有说明，一般选择20pF、30pF可以，这是经验值。 调整电容器可以微调振荡频率： 一般来说，增加电容会降低振荡频率，减少电容会增加振荡频率， 反馈电阻： 1M 负反馈 也是限流 1、连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移； 全环相移360度，满足振荡相位条件， 2、 晶体振动输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器在高增益线性区域工作，一般在M欧级； 3、 限流的作用是防止反向器输出过度驱动晶体振动，损坏晶体振动。有些晶体振动不需要集成到晶体振动中。 4、启动： 用户使用通常设置为Boot0 Boot均为0，均为低电平 M三核器件有三种启动方式，M有四种BOOT0，BOOT选择1的电平。 STM与32启动模式相对应的存储介质是芯片内置的，它们是： 1）用户闪存 = 芯片内置的Flash。 2）SRAM = 芯片内置的RAM区，就是内存啦。 3)系统存储器 = 芯片内部有一个特定的区域，芯片出厂时在该区域预置了一段Bootloader，俗话说ISP程序。芯片出厂后，没有人能修改或擦除该区域的内容，即它是一个ROM区，它是用的USART作为通信口。 5.调试接口:STM32有两个调试接口，JTAG为5针， SWD2线串行(共4线) 另外还有采用USB程序烧写和数据输出USB口连接也可以用小负载驱动供电。 通常采用CH340G芯片：实现USB转串口。 需要单独的振荡电路 12MHZ 使用芯片将计算机USB映射用于串口， 请注意，串口驱动程序应安装在计算机上，否则无法正常识别。 当我们烧写程序时，我们希望BOOT0=1，BOOT1=0.烧写完成后，我们希望BOOT0=0，BOOT1=0（这个模式BOOT1可以是0可以是1，这里让我们让BOOT拉低，即整个过程BOOTL接地，简化电路设计)。