DBI技术：减少DDR4系统功耗的方法是尽可能增加DDR高输出量。这就是为什么DDR4中多了“DBI管脚”。例如，当8bit lane至少有五个DQ一切都很低Bit而且会被翻转DBI（Data Bus Inversion）低，用来指示数据线的反转。通过这种方法，共有9个信号(8个DQ和1个DBI），至少有5个被驱动为高电平。若原始数据中有4个或更多的信号被驱动到高位，则DBI信号也将会设为高，同样，还是9个里面至少有5个为高。这样，在每个数据传输过程中，至少5/9的数据是高电平的，可以在一定程度上降低功耗。 三维硅堆叠(3)DS）技术：传统 堆叠中，DRAM堆叠是为了减少整个电路所需的涂层，但在DDR传统的高速下，传统的堆叠是有限的；三维硅堆叠可以增加密度，其结构主要是DRAM和多达八 个从属的DRAM堆叠组个元件甚至可以在单个载点上安装。 传统的点对点总线技术：DDR 3.在内存方面，内存和内存控制器的链接依赖于多点分支总线（Multidropbus）。许多相同规格的芯片可以挂在一个接口上。例如，四个内存插槽通常设计在主板上，每个通道只允许在物理结构上扩展更大的容量。例如，这种设计类似于每次只能双向通过一对车的路边建仓库。仓库直接连接道路。虽然每个仓库都有自己的运输车辆和运输能力，但道路只允许每次双向通行一对车辆。因此，如果仓库不断修复，这种设计只会扩大存储容量，对运输能力没有帮助。 DDR 4放弃了这样的设计，转而使用点对点总线。点对点总线的特点是，内存控制器的每个通道只能支持唯一的内存。点对点相当于为每个仓库设计一条道路，有效地利用了仓库本身的运输能力——换句话说，它有效地利用了每个内存的位宽。 ZQ技术：ZQ pin, 用来外接一240Ω±1%上拉电阻。LPDDR4用作校准的参考电阻DRAM内部的240Ω电阻。因为芯片内的240欧洲电阻是由CMOS构成，由于CMOS由于其自然特性，电阻会随之而来PTV(工艺、温度和电压)变化，必须校准。 ODT技术： 一个DDR通道通常连接多个通道Rank，这些Rank数据线、地址线等都是共享的；数据信号将依次传输到每个信号Rank，到达线路末端时，波形会反射，影响原始信号；因此，需要增加终端电阻来吸收余波。