茂矽六寸IGBT晶圆开启智能新能源汽车新时代

中国是世界上最大的功率半导体消费市场；随着电动汽车市场的兴起；电动汽车已成为未来汽车工业的主要增长驱动力；带动新能源汽车需求MOSFET及IGBT持续增长；作为其核心部件IGBT产品市场前景广阔。

目前国内晶闸管、晶圆片部分二极管、防护装置等仍以4寸线为主流；平面可控硅芯片，肖特基二极管，IGBT模块配套用高电压大通流整流芯片，低电容、低残压等保护器件芯片和部分MOSFET以6寸线为主流；

使用电动汽车IGBT主要有五种装置（包括逆变器、直流/交流电变流器、车载充电器、电力监控系统等辅助系统），其中逆变器、直流/交流电变流器和车载充电器对电动汽车性能的影响最为关键；IGBT它是影响电动汽车性能的关键技术，其成本约占整车成本的5%。

对电动汽车而言，IGBT直接控制驱动系统和交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率。

高功率IGBT它是电动汽车电机系统的关键部件和能耗。一旦电机系统的效率提高，它将推动电动汽车的速度，降低散热系统的需求，提高电池寿命；

台湾省茂硅电子通过六寸晶圆降低晶圆导通电阻IGBT制造成本高，良率高，电动汽车关键部件多得到改善（Infineon）、意法半导体（ST）等国外大厂购买。

目前市场上的晶圆直径主要是150mm、200mm、300mm，对应6寸、8寸、12寸晶圆；国产芯片在晶圆产能上有优势，即6寸；

2019-2021年，亚洲(台湾省15座，中国8座)生产能力仅扩大5%左右，仍不足以满足后续电动汽车和工业控制市场。IGBT持续涨价。

IGBT晶圆 - P81MV022NL0013P是一款1200V、40A、FS工艺的6寸IGBT晶圆片；1200V沟槽及现场停止技术；低开关损耗；正温系数；平行技术简单。

芯片图：

茂硅电子成立于1987年，晶圆制造长期专注于功率半导体元件和电源管理IC领域，以MOS管、IGBT，以模拟芯片、二极管等产品为主，打破国外垄断。