本征半导体定义
1)半导体：晶体结构纯净的半导体称为本征半导体；
2）PN结:单向导电；
3)反向击穿:反向电压过高时失去单向导电性(详见半导体手册)；
4）PN结的电容效应：当信号频率过高时，单向导电性丧失。
二、半导体二极管
1）基本原理半导体中掺杂中的“反型”，N与P型半导体混合，或反过来；
2)有三种类型。1.点接触类型:适用于高频电路和小功率整流；2.表面接触类型:由于结电容大，适用于低频，一般用作整流管；3.平面类型；
3）N或者P型半导体的导电压，硅材料Ud=0.7V,锗材料的Ud=0.2V，一般不说就是硅材料，所以Ud=0.7V;
2.1含二极管电路分析
1)判断采用何种等效模型3
若给出正压降=恒压源模型；
若忽略了正向的压降=理想的二极管相当于导线；
2)判断二极管导通还是截止
做法是去除二极管，计算正电压Up和负电压Un：
对于恒压源模型，如果Up-Un>Ud,如果Up-Un<Ud,为截止；
对于理想的二极管模型，如果Up-Un>如果Up-Un<0,为截止；
3)用简单的部件代替二极管(导通或截止)
导通时：如果是恒压源模型，则等效为电压源，尺寸为Ud，极性与原二极管相同；
导通时：如果是理想的二极管，则等效为导线；
截止日期：等效为开路
三、稳压二极管
结构：通常是硅管导电压的原理：，需要限制电流。
稳定电压：;最大稳定电流Izm电流最小稳定Imin。
功能：反向击穿时，端电压在一定电流范围内几乎保持不变，表现出稳压特性。
3.1含有稳压二极管的电路分析
1.恒压源模型通常是恒压源模型
2.判断稳压管是正向导通、反向截止还是反向击穿
Up-Un>Ud;在导通区，可替换为电压源，极性不变；
-Uz<(Up-Un)<Ud;截止区相当于开路；
Up-Un<-Uz;在击穿区在击穿区替换，极性与原来相反；
四、特殊二极管
1)发光二极管:正压降大于普通二极管，毫安级电流可发光；
2)变容二极管:使用:PN结电容随外加电压的变化，通常在截止日期工作；