单片陶瓷电容器(通称贴片电容器) 容)是目前用量较大的常用元件AVX就公司生产的贴片电容而言,有一些NPO、X7R、Z5U、Y5V不同不同,用途不同。下面我们只有 常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V介绍其性能和应用,以及采购中应注意的订单,以吸引大家的注意。不同的公司可能有不同性能的电容器 有不同的命名方法。我们在这里引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V主要区别在于它们的填充介质不同,然后让他们表现出不同的我,主要是容量和稳定性(受温度影响,寿命长...等),也就是说,这些规格适用于不同的应用场合(军工、工业.消费电子...)你可以根据这个选择适合你的。在相同体积下,由不同的填充介质组成的电容器容量不同,导致介质损耗和容量稳定性不同。因此,在使用电容器时,应根据电容器在电路中的作用选择不同的电容器。 一 NPO电容器 NPO它是一种具有温度补偿特性的最常用的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由其他一些稀有氧化物组成的,如氯乙烯、钡等。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃容量变为0±30ppm/℃,电容量随频率变化小 于±0.3ΔC。NPO电容器的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容可以忽略不计。与使用寿命相比,其典型容量变化不大 于±0.1%。NPO电容器的电容量和介质损耗随频率的变化而变化,大包装尺寸优于小包装尺寸。下表给出了NPO电容器 可选容量范围。 封 装 DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型陶瓷电容器。当温度为-55时℃到 125℃当容量变化为15%时,应注意电容器容量变化是非线性的。 X7R在不同的电压和频率条件下,电容器的容量是不同的。它也随时间变化,每10年变化约1%ΔC,10年变化约5%。 X7R电容器主要用于要求低的工业应用,当电压变化时,容量变化是可以接受的。它的主要特点是在相同的体积下,电容量可以相对较大。给出了下表X7R电容器可选的容量范围。 封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF 三 Z5U电容器 Z5U电容器称为通用陶瓷单片电容器。首先要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要尺寸小,成本低。对于上述三种陶瓷单片电容器 在相同的体积下Z5U电容器的电容量最大。但其电容量受环境和工作条件影响较大,其老化率每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)等效串联电阻(ESR)频率响应低,使其应用广泛。特别是在退耦电路的应用中。下表给出Z5U电容器的值范围。 封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF 1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 10℃ --- 85℃ 温度特性 22% ---- -56% 介质损耗 最大 4% 四 Y5V电容器 Y5V在-30中,电容器是一种具有一定温度限制的通用电容器℃到85℃范围内的容量变化可以达到 22%到-82%。 Y5V高介电常数允许在较小的物理尺寸下产生高达4.7μF电容器。 Y5V如下表所示 封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF 1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF Y5V电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 -30℃ --- 85℃ 温度特性 22% ---- -82% 介质损耗 最大 5% 贴片电容器命名方法AVX在网站上找到。不同公司的命名方法可能略有不同。
特性 ·体积小,重量轻; ·适用于再流焊和波峰焊; ·电性能稳定,可靠性高; ·装配成本低,与自动装配设备相匹配; ·机械强度高,高频特性优越。
产品代号 |
型号 |
电阻温度系数 |
阻值 |
电阻值误差 |
包装方法 |
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片状电阻器 |
代号 |
型号 |
代号 |
T.C.R |
表示方式 |
阻值 |
代号 |
误差值 |
代号 |
包装方式 |
|
02 |
0402 |
K |
≤±100PPM/℃ |
E-24 |
前两位表示有效数字 第三位表示零的个数 |
F |
±1% |
T |
编带包装 |
||
03 |
0603 |
L |
≤±250PPM/℃ |
G |
±2% |
||||||
05 |
0805 |
U |
≤±400PPM/℃ |
E-96 |
前三位表示有效数字 第四位表示零的个数 |
J |
±5% |
B |
塑料盒 散包装 |
||
06 |
1206 |
M |
≤±500PPM/℃ |
0 |
跨接电阻 |
||||||
示例 |
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备注 |
小数点用R表示例如: E-24: 1RO=1.0Ω 103=10KΩ E-96: 1003=100KΩ ;跨接电阻采用"000"表示 |
国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分: 第一部分用数字“2”表示主称为二极管。 第二部分用字母表示二极管的材料与极性。 第三部分用字母表示二极管的类别。 第四部分用数字表示序号。 第五部分用字母表示二极管的规格号。 第一部分:主称 2:二极管; 第二部分:材料与极性 A:N型锗材料;B:P型锗材料;C:N型硅材料;D:P型硅材料;E:化合物材料; 第三部分:类别 P:小信号管(普通管);W:电压调整管和电压基准管(稳压管);L:整流堆;N:阻尼管;Z:整流管;U:光电管;K:开关管;B或C:变容管;V:混频检波管;JD:激光管;S:遂道管;CM:磁敏管;H:恒流管;Y:体效应管;EF:发光二极管; 第四部分:序号 用数字表示同一类别产品序号; 第五部分:规格号 用字母表示产品规格、档次 日本半导体器件型号共用五部分组成,其表示方法如2-17。
表2-17 日本半导体器件命名法
比如: 常用的1N4000系列二极管耐压比较如下: 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压(V) 50 100 200 400 600 800 1000 电流(A) 均为1 |