部分MCU程序存储器ROM，可执行代码只能放在的、(外扩)；
单片机需要考虑数据处理和系统的大量数据采集因此，外扩EEPROM这是该系统常见的模块。也可以用来存放一些，保存一些等。
以字节byte为最小修改单元
例如：用户在电视上更改音量值后，该值保存在这里。当再次启动时，系统将首先读取该值，然后将音量设置在关闭前。当用户再次更改音量时，该值将被重写。 如果没有EEPROM，无法保存用户更改的值，每次启动都是最原始的数据。
EEPROM准备更改固化程序，如补丁或升级新版本的固化程序，如计算机主板BIOS芯片
EEPROM用于存储硬件设置数据的接口卡
EEPROM例如，特殊数据的加密存储安全性
:
EEPROM软件实例的概念接口类型
EEPROM接口一般分为四线两种：SPI和两线I2C
EEPROM的扩展
。
BOOT[1-0]选择启动 flash
，主要区别。 举几个例子: 都可以做CPU/ASIC芯片启动程序，如PHY ,SW 常用EEPROM，因为代码小，256K够了；但是CPU启动代码通常是EEPROM而且CPU通常有操作系统，可以存在EEPROM（BOOT） FPASH（system）但乍一看，不如把FLASH分区，把两件东西都装下来。 EEPROM通常存单板信息，厂家信息，PCB信息，MAC这些基本的东西，如地址和配置信息，通常在工厂燃烧，然后焊接在单板上，就像你在单板上打印一样，是一个标志。
、、
上电时，可将ATAES132A配置为使用SPI或I2C接口对接到大多数微控制器。
当采用I2C在模式下，不使用片选引脚，必须将引脚连接到电源或接地。
当配置用于SPI模式时，按常规用片选择引脚。
AT24C02 是串行CMOS类型的EEPROM存储芯片，AT24C0x该系列包含AT24C01、AT24C02、AT24C04、AT24C08、AT24C16、AT24C512这些具体的芯片型号。
它们的容量分别是：1K (128 x 8)、2K (256 x 8)、4K (512 x 8)、8K (1024 x 8)、16K (2048 x 8) ，8表示8位(bit) 原文链接：STM32入门开发: 介绍IIC总线、读写AT24C02(EEPROM)(模拟时序)_DS小龙哥的博客-CSDN博客_at24c02与stm32连接图
嵌入式linux开发 (十一) FLASH(1) stm32外扩EEPROM___pop_的博客-CSDN博客
STM32：SPI总线、W25Q64（FLASH）详细介绍-电子爱好者网
FLASH扩展
STM32：SPI总线、W25Q64（FLASH）的详细介绍
：也是，
FSMC——扩展外部的SRAM
STM32外拓SRAM
STM32学习之FSMC
stm32 FSMC模拟8080时序 模拟显存 点亮液晶LCD
stm32f使用一系列芯片FSMC管理扩展存储器的外设，可用于驱动包括SRAM、NORflash、NANDflash存储类型，这种动态存储器。
在STM32F429中，具有
SRAM：静态随机存取存储器，易失性存储器，读写速度很快，适合内存，但很贵。 SRAM的引脚图：A是地址线、IO数据线是通过地址访问数据。 原文链接：https://blog.csdn.net/weixin_45589030/article/details/120091238
：
FSMC接口
STM32_FSMC接口 扩展 FlaSh 存储器
：、
QSPI和SPI有什么关系，有什么区别？
SPI和QSPI协议学习
FLASH电路
NAND FLASH 时序读取操作 高速布线
1、单片机---HLK-W801外部扩展flash_外扩flash
背景介绍 今天想扩大Flash存储，使用常用的一块的 NOR FLASH芯片，通过方法，单片机连接，存储和读取数据。
64Mbit =8MB的大小
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Flash基础知识
以W25Q128为例：128Mbit =16MB的大小
：Block，每个块可以是32KB64.KB（16个扇区）
：Sector，每个扇区4KB=16页
：Page，每页256Byte（字节）
总共：16MB=16*1024*1024B/256=65536个页。
Flash芯内数据只能从1变0，不能从0变1
块是上层软件中（操作文件时）使用的最小的操作单元，就是（操作文件时）一个块一个块进行操作（块的大小格式化时可以设置【如linux、fatfs等等】）。
擦除可以按16页（即一个扇区擦除，4KB）、按128页擦除（8个扇区，32KB块擦除）、按256页擦除（16个扇区，64KB块擦除）或者整片擦除。
每次编程数据为256字节。
2、STM32：SPI总线、W25Q64（FLASH）的详细介绍重点
W25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件。W25Q64将8M字节的容量分为128个块，每个块大小为64K字节，每个块又分为16个扇区，每个扇区4K个字节。，也就是。所以，这需要给W25Q64开辟一个至少，这样必须要求芯片有才能有很好的操作。 W25Q64的擦写周期多达10W次，可将数据保存达20年之久，支持2.7~3.6V的电压，支持标准的SPI，还支持/的SPI，最大SPI时钟可达80MHz。
3、W25Q64 NOR Flash芯片 - 百度文库
F_CS 、SPI_MISO、SPI_SCK和SPI_MOSI四个引脚与单片机的IO口连接，可以是单片机的，也可以通过普通IO口来模拟SPI协议。
原文链接：4、https://blog.csdn.net/chengoes/article/details/115429426
中文手册：
驱动W25Q64 我用的是W25Q64，是一个8MB的flash，W801源码中，有一个gd25qxx的驱动，基本是可以通用的，但是有两个问题，需要解决。
读取ID失败，W25Q64的读ID指令是0x90，所以我这里增加了一个宏定义开关 原文链接：5、https://blog.csdn.net/baidu_19348579/article/details/123983741
6、STM32CubeMX学习笔记（10）——SPI接口使用（读写SPIFlashW25Q64） - 百度文库
7、STM32CubeMx之硬件SPI驱动W25Q64_IT_阿水的博客-CSDN博客_w25q64驱动
8、STM32驱动SPI FLASH(W25Q64)_宁静致远2021的博客-CSDN博客_w25q64驱动
9、STM32系列(HAL库)——F103C8T6通过SPI方式读写W25Q64—(Flash存储模块)_嵌入式创客工坊的博客-CSDN博客_io模拟spi读取w25q64
Eeprom的背景
一、特点不同
1、ROM特点：只读存储器（Read-Only Memory，ROM）以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。 2、RAM特点：随机存取存储器（英语：Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快。
二、保存方式不同
1、ROM保存方式：如果突然停电或者没有保存就关闭了文件，那么ROM可以随机保存之前没有储存的文件。 2、RAM保存方式：如果突然停电或者没有保存就关闭了文件，那么RAM会使之前没有保存的文件消失。
ROM和RAM的其它相关介绍： 由于ROM具有断电后不丢失信息的特点，可以作为计算机启动的BIOS芯片。EPROM、EEPROM和Flash ROM(NOR Flash 和 NAND Flash)，性能同ROM，但可以重写。
但flash可以在相同电压下读写，容量大，成本低。如U盘MP3中使用广泛。
电脑上我们通常说的内存也就是RAM，也就是运行内存，断电关机后清除所有数据。
PROM(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)一次可编程只读存储器只允许写入一次
EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种非易失性存储芯片，一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。
单片机内部的rom只能在程序下载的时候进行下载和改写，但是在程序运行过程中是不可改写。掉电不会丢失。 单片机的ram数据在程序运行过程中是可以更改的，但是掉电会丢失。
我们如果需要掉电不丢失而且程序还能更改，显然rom和ram都无法满足，此时就可以使用eeprom
flash:
flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。
flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。
EEPROM和flash的区别和联系
1、擦写方式不同
FLASH在写新的数据前必须先擦除，而且经常是只允许整页擦除，没有办法擦除一个字节，换句话说，只能成块的读写，特别是写。 EEPROM写之前不需要擦除，可以每次改写一个字节。当然，也有缺点，EEPROM读写速度慢，另外，容量比较小，也就是说EEPROM要贵。
2、使用情况不同
对单片机来说，关键性的数据，如传感器的标定数据，用户配置参数等，用EEPROM存储；
而像文件等大容量的数据记录，或者的数据，可以用FLASH闪存存储，像图片、字库、文件记录。
除了操作次数相当高外，操作时间也很短，基本上命令发完就完成了读写操作，不需要eeprom的写等待查询。
3、擦写次数不同
eeprom比flash多很多，一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次（现在有些已经到了上万次），eeprom的数据比这个大，但普通eeprom也是有限制。
eeprom在系统中的存在方式：一种是在单片机的，另一种是的。
EEPROM的编程方式： 1、I2C底层时序 2、器件定义的寄存器读写时序
Flash和EEPROM区别差异及关系解析-电子发烧友网
EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12~24V，随不同的芯片型号而定）。
EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。
---- EEPROM拯救了这一切
EEPROM的出现可以说是跨时代的，因为ROM可以多次编程了，对于程序员来说，终于可以多次烧写单片机了，更让我们兴奋的是，我们可以使用电擦除，而不是紫外线擦除了。
从擦除次数上，EEPROM可以擦除100W次，而且EEPROM可以针对每一个区块，也就是每一个位置写 「0」或者 写 「1」，如果大家知道FLASH特性的话，就会觉得EEPROM是多么优秀。而且数据的保存时间可以达到100年。
当然了，特点就是电路复杂，成本高，因为成本高就导致了EEPROM的大小不是非常大，一般在512KB 以下。
---- Flash:
如果从电擦除这个特性上说的话，FLASH也是EEPROM的一种，不同的是，FLASH的擦除区块不是一个字节，而是扇区来擦除，也是因为这样的特性，才导致FLASH价格比EEPROM便宜。
为什么单片机中还要既有Flash又有EEPROM呢？
不仅仅是单片机，很多ARM处理器也是这样，需要有ROM来之类的。
简单来说，当然是为了省钱啊，如果有钱，我肯定是放几个G的EEPROM，不用就放着也可以，但是实力不允许啊(EEPROM贵， FLASH便宜)。
就用来一些小东西，比如开机次数，常用的标志位之类的东西。
就用来比较大的，比如固件，如果是MP3这类的产品，就可以用FLASH来保存歌曲。
EEPROM 是电可擦可编程只读存储器，一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。
相同点：两者都能掉电存储数据，不丢失数据，都属于广义的ROM
区别：
1）FLASH按区块操作，EEPROM则按字节操作
2）FLASH写入时间长，EEPROM写入时间短
3）FLASH擦写次数少（1万次），EEPROM次数多（100万次）
4）FLASH的电路结构较简单，成本低，EEPROM工艺复杂，成本高
5）FLASH用作程序存储器，EEPROM用作数据存储器
数据存储器不能用FLASH，因为：
1:FLASH有一定的擦除、写入次数，一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值是10000次。
2:FLASH写入数据需要比较长的时间，大约需要4-6ms.而且写FLASH需要加上9V的高压，麻烦。
EEPROM可以作为数据存储器，但是少，因为：
但是单片机一般用RAM作为数据存储器，因为EEPROM工艺复杂，成本高，适合于存储掉电保护的数据，而这类数据往往不需要存储太多。
———————————————— 版权声明：本文为CSDN博主「xix_yu」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。 原文链接：https://blog.csdn.net/xix_yu/article/details/121877385
FLASH和EEPROM都属于广义的ROM，掉电数据不丢失。
FLASH是块擦除的，EEPROM任意bit可修改。 NAND FLASH只能按页读取，NOR FLASH可按字节读取，EEPROM任意bit读取。
NAND成本最低，NOR成本也很低，EEPROM成本高 NAND适合做大容量数据存储；NOR因为支持字节读取，适合做程序存储器；EEPROM适合做小容量的片内存储器。擦写次数约次；擦写次数约次；擦写次数约次。
产品和应用
NAND一般是SPI接口，密度高、擦写快，控制略复杂。用在存储设备上，如U盘、SD和MMC等 NOR可以提供SRAM接口，直接可访问，作为程序执行接口。用于MCU的程序存储。 EEPROM读写简单，一般用于高可靠性小容量的片上存储。 ———————————————— 版权声明：本文为CSDN博主「lyfwill」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。 原文链接：https://blog.csdn.net/lyfwill/article/details/90898936