用于高寿命蓝色LD (半导体激光器)、高亮度蓝色LED (发光二极管)、高特性电子设备GaN单晶晶片，通过hvpe (氢化物气相)生长方法等。生长并产生低变位自立型GaN单晶晶片。GaN单晶晶片通常是圆形的，厚度和外径有偏差。此外，在延伸器件的过程中，不是刚刚生长的后晶片，而是平面和传感器与结晶表面平行加工，以判断放置在接头上的均匀外径和结晶方向OF(定位平面)，实施表背面识别IF (索引平面)加工的晶圆和背面为梨皮(粗糙化面)的晶圆。因此，通常用于调整晶片的形状NC 外径(数控)加工机和仿加工机ofif倒角加工，此外，为了得到平坦的面，还进行磨削研磨进行蚀刻研磨加工。
酸清洗作为加工后的清洗，旨在去除重金属。一般来说，半导体晶片的清洗是为了去除表面上的颗粒，GaN在这种情况下，单晶晶片，n碱蚀刻表面，导致表面粗糙，避免使用。然而，传统的清洗方法不能用碱清洗，因此颗粒去除能力不足，难以清洗GaN单晶晶片表面的问题。在GaN在单晶晶片中，GaN单晶晶片的Ga去除表面颗粒，但N表面粗糙度大，不能用碱清洗。本发明提供了一种GaN单晶晶片的清洗方法，GaN单晶晶片具有足够的颗粒去除能力，并规定了碱性化学品的类型、浓度和清洁条件，以防止表面粗糙化。本发明还提供了一种GaN制造单晶晶片的方法。
在用于清洁GaN在单晶晶片的方法中，用有机碱基清洗液清洗GaN单晶晶片表面后，用有机溶剂清洗GaN清洁单晶晶片表面GaN有机胺作为有机碱基清洗液用于单晶晶片。可根据本发明提供对GaN单晶晶片具有足够的颗粒去除能力，并规定了碱性液体的类型、浓度和清洗条件，不会导致表面粗糙GaN单晶晶片的清洗方法及GaN制造单晶晶片的方法。
图1清洗过程图
如图1所示，本实施方式GaN单晶晶片的清洗方法是GaN单线.用有机碱清洗液清洗晶圆表面后，用有机溶剂清洗。更具体地说，包括：使用有机碱性清洗液进行清洗GaN单晶镜面工艺S1.用超纯水去除有机碱性清洗液的过程S2.进一步利用高纯度有机溶剂完全去除残留的有机碱性清洗液S3.用超纯水去除高纯度有机溶剂的过程S最后，作为一个过程S1中使用的有机碱洗涤液.
使用有机胺，即TMAH(四甲基氢氧化铵)是由碱性液体引起的KOH(氢氧化钾)和NaOH(氢氧化钠)含有金属被洗涤污染的金属成分GaN单晶晶片表面。然而，由于TMAH因此，它含有有机成分GaN单晶晶片的表面类似于污染。该方法包括用高纯度有机溶剂清洗的步骤S3。在步骤S3中使用的有机溶剂是异丙醇(IPA)。在每个过程中，优化在过程中S1.洗涤5-10分钟，并在过程中进行S2至S洗5分钟或更长时间。因此，可以完全清洁GaN单晶晶片表面，可完全去除残留的有机碱基清洁液。
这样洗GaN单晶晶片，在用有机碱基洗涤液洗涤之后，仅通过用水洗涤，有机碱基洗涤液残留在GaN单晶晶片表面，但用高纯度有机溶剂洗涤，残留的有机碱基洗涤液溶解，残留在表面G aN完全去除单晶晶片表面的有机碱基洗涤液，获得高质量GaN单晶晶片。在这种情况下，可以获得GaN单晶晶片具有足够的颗粒去除能力，可调节碱性化学品(TMAH)防止表面粗糙化的浓度和清洁条件。
将直径约为3μm的SiO2颗粒粘附到GaN在单晶晶片上，并通过图1中提到的工艺进行清洗。此时，在TMAH浓度为0.001、0.01、0.1和1mol/L在四个条件下，依次进行TMAH洗5分钟，超纯水洗5分钟，IPA洗5分钟，最后洗5分钟，然后干燥。通过表面检查装置时Candela确认清洁后GaN单晶晶片的Ga表面的SiO2颗粒去除率（=(清洗后晶片上的杂质数-粘附前晶片上的杂质数)/(粘附后晶片上的杂质数-粘附前晶片上的杂质数)，如图2所示，在所有浓度下去除率接近10%。
图2 TMAH浓度对SiO2除去率的影响
以同样的方式测量清洁时GaN单晶晶片N表面粗糙度（Ra）如图3所示，0.001和0.01 mol/L在浓度下，表面粗糙度（Ra）突然变高，并确认表面粗糙度为0.1 mol/L在浓度下，表面粗糙度（Ra）不引起表面粗糙度。另外，当通过将TMAH固定在0.01 mol/L改变洗涤时间，确认表面粗糙度（Ra）和SiO尽管如图4所示，2颗粒的去除率SiO2颗粒的去除率没有问题，但表面粗糙度（Ra）洗涤时间12分钟后急剧增加。因此，浓度为0.001 mol/L或更高且小于0.01 mol/L的TMAH，并且可以将TMAH洗涤时间小于12分钟。
图3 TMAH浓度对表面粗糙度的影响
因此，根据GaN单晶晶片的清洗方法可以通过使用有机碱性基清洗液来获得GaN单晶晶片具有足够的颗粒去除能力，由于规定了碱性化学品的类型、浓度和清洗条件，不会导致表面粗糙化，因此可以防止清洗后表面粗糙化。另外，通过制造GaN根据本发明的清洗步骤，单晶晶片可以完全清洗，没有表面粗糙度GaN单晶晶片。