DS18B20的管脚排列

1. GND为电源 地；
2. DQ为数字信号输入／输出端；
3. VDD外部电源输入端

主机首先发出一个480－960微秒的低电平脉冲，然后释放总线变为高电平，并在随后的480微秒时间内对总线进行检测，如果有低电平出现说明总线上有器件已做出应答。如果没有低电平，总是高电平，说明总线上没有设备响应。 作为从器件DS18B20一上电，就一直在检测总线上是否有480-960微秒的低电平。如果是这样，在总线转换为高电平后，等待15-60微秒，然后将总线电平降低60-240微秒，以响应脉冲，并告诉主机本设备已准备好。如果没有检测到，一直在等待检测

接下来，主机发出各种操作命令，但各种操作命令都是向前的DS18B由20写0和写1组成的命令字节在接收数据时也是从DS18B读0或1的过程。所以首先要搞清楚主机是怎么写0、写1、读0、读1的。 写作周期至少为60微秒，最长不超过120微秒。在写作周期开始时，作为主机，将总线降低1微秒，表示写作周期开始。然后，如果主机想写0，继续降低电平至少60微秒，直到写作周期结束，然后将总线释放为高电平。如果主机想写1，请在开始时写1拉低总线电平1微秒后就释放总线为高电平，一直到写周期结束。而做为从机的DS18B20则在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us开始对总线采样，在采样期内总线为高电平则为1，若采样期内总线为低电平则为0。 对于读数据操作时序也分为读0时序和读1时序两个过程。读时隙是从主机把单总线拉低之后，在1微秒之后就得释放单总线为高电平，以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后，便开始送出数据，若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束。若要送出1则释放总线为高电平。主机在一开始拉低总线1微秒后释放总线，然后在包括前面的拉低总线电平1微秒在内的15微秒时间内完成对总线进行采样检测，采样期内总线为低电平则确认为0。采样期内总线为高电平则确认为1。完成一个读时序过程，至少需要60us才能完成 DS18B20 单线通信功能是分时完成的，他有严格的时隙概念，如果出现序列混乱， 1-WIRE 器件将不响应主机，因此读写时序很重要。系统对 DS18B20 的各种操作必须按协议进行。根据 DS18B20 的协议规定，微控制器控制 DS18B20 完成温度的转换必须经过以下 4 个步骤 ： （１）每次读写前对 DS18B20 进行复位初始化。复位要求主 CPU 将数据线 下拉 500us ，然后释放， DS18B20 收到信号后等待 16us~60us 左右，然后发出 60us~240us 的存在低脉冲，主 CPU 收到此信号后表示复位成功。 （２）发送一条 ROM 指令

３）发送存储器指令

现在我们要做的是让DS18B20进行一次温度的转换，那具体的操作就是： 1、主机先作个复位操作， 2、主机再写跳过ROM的操作（CCH）命令， 3、然后主机接着写个转换温度的操作命令，后面释放总线至少一秒，让DS18B20完成转换的操作。在这里要注意的是每个命令字节在写的时候都是低字节先写，例如CCH的二进制为11001100，在写到总线上时要从低位开始写，写的顺序是“零、零、壹、壹、零、零、壹、壹”。整个操作的总线状态如下图。 读取RAM内的温度数据。同样，这个操作也要接照三个步骤。 1、主机发出复位操作并接收DS18B20的应答（存在）脉冲。 2、主机发出跳过对ROM操作的命令（CCH）。 3、主机发出读取RAM的命令（BEH），随后主机依次读取DS18B20发出的从第0一第8，共九个字节的数据。如果只想读取温度数据，那在读完第0和第1个数据后就不再理会后面DS18B20发出的数据即可。同样读取数据也是低位在前的。整个操作的总线状态如下图： 在这里说明一下，第二步跳过对ROM操作的命令是在总线上只有一个器件时，为节省时间而简化的操作，若总线上不止一个器件，那么跳过ROM操作命令将会使几器件同时响应，这样就会出现数据冲突。

单片机最起码的是配置引脚

#define DQ_DIR_IN()    DDRB &= ~(1<<4)      //PB4引脚设置为输入
#define DQ_DIR_OUT()   DDRB |= (1<<4)		//设置为输出

#define DQ_DATA        ((PINB&(1<<4))>>4)		//引脚上的输入的电平

#define DQ_SET()       PORTB |= (1<<4)			//输出高电平
#define DQ_CLEAR()     PORTB &= ~(1<<4)	//输出低电平

上面是温度传感器DQ引脚的配置

首先呢，输出480-960us的低电平，这是给温度传感器发送一个启动的信号，然后，设置引脚为输入，接受传感器的响应，这个要想延时60-240us。这样就完成了一个刺激信号，然后接受信号的过程。这是启动温度传感器的信号

int Init_DS18B20(void)
{
    int temp;

    //主机发送480-960us的低电平
    DQ_DIR_OUT();

    DQ_SET();
    delay_us(10);
    DQ_CLEAR();
    delay_us(750);
    DQ_SET();

    //从机拉低60-240us响应
    DQ_DIR_IN();

    delay_us(150);
    temp = DQ_DATA;
    delay_us(500);

    //
    return temp;
}

void Write_DS18B20(uchar value)
{
    int i;

    DQ_DIR_OUT();

    for(i=0;i<8;i++)
    {
        //主机拉低总线
        DQ_SET();
        delay_us(1);
        DQ_CLEAR();

        //写数据位
        if((value&(1<<i))!=0)
        {
            DQ_SET();
        }
        else
        {
            DQ_CLEAR();
        }

        delay_us(70);
        DQ_SET();
        delay_us(10);
    }

    delay_us(10);
}

读数据
uchar Read_DS18B20(void)
{
    uchar value = 0;
    int i;

    for(i=0;i<8;i++)
    {
        //主机拉低总线并释放
        DQ_DIR_OUT();

        DQ_SET();
        delay_us(1);
        DQ_CLEAR();
        delay_us(1);
        DQ_SET();

        //读数据位
        DQ_DIR_IN();
        delay_us(7);

        value |= (DQ_DATA<<i);

        delay_us(70);

    }

    return value;
}

//读取温度
int Read_Temperature(void)
{
    char temp_l, temp_h;
    int temp;

    #asm("cli")
    Init_DS18B20();
    Write_DS18B20(0xCC); //跳过ROM
    Write_DS18B20(0x44); //温度转换
    #asm("sei");

    delay_ms(200); //等待温度转换

    #asm("cli")
    Init_DS18B20();
    Write_DS18B20(0xCC); //跳过ROM
    Write_DS18B20(0xBE); //读RAM数据

    temp_l = Read_DS18B20(); //读前两字节数据
    temp_h = Read_DS18B20();
    #asm("sei")

    if((temp_h&0xf8)!=0x00)
    {
        state=1;         //此时温度为零下，即为负数
        temp_h=~temp_h;
        temp_l=~temp_l;
        temp_l +=1;
        if(temp_l>255)
            temp_h++;
    }
        temp=temp_h;
        temp&=0x07;
        temp=((temp_h*256)+temp_l)*0.625+0.5;
    //处理数据
    //temp = (temp_h*256+temp_l)*6.25;

    return temp;

}

剩下的你们自己理解吧，我懒得解释了，不懂的自己看前面的原理，不能什么得解释的清清楚楚，也得自己自学，自己查资料学习解答疑惑，这样才能学到东西