本文介绍了一种新型的全化学晶片清洗技术，研究它们是否能提供更低的水和化学消耗能力，以及各种技术的工艺应用、清洗机制、工艺效益和考虑因素、环境、安全和健康(ESH)供应商信息的效益、技术状态和可用信息。
将晶片暴露在少量（约1克）无水三氧化硫气体中，然后自动转移到单独的房间，用去离子水冲洗干燥（见图1），三氧化硫室的条件温度通常低于100°C，而且环境干燥，光学耐腐蚀剂在暴露于三氧化硫的过程中没有去除，而是化学改性。一旦磺化，耐腐蚀剂可溶于水，在去离子水冲洗过程中去除，该工具目前是单晶片单元，但可扩展到批处理工具配置。
图1
三氧化硫技术将两个清洗步骤/工具结合起来，取代灰化器和用于灰化后残留物清洗的湿工作台。一种工具的优点包括在大多数剥离应用程序中完全消除等离子体。剥离子注入光刻胶后，减少污染、占地面积、维护、周期时间和成本。工艺开发的重点是集群工具中可集成的单晶片旋转处理器。晶片安装在晶片旋转器的卡盘上，加速到预定速度（1000至4000转/分）。蚀刻化学物质分布在旋转晶片表面约1-3分钟，工艺温度为45至55℃,过程pH值接近中性，因此旋转蚀刻循环是短暂的去离子水旋转冲洗和旋转干循环。
下午0点35分和0点18分为150mm晶圆，准备150mm晶圆氧化蚀刻和金属蚀刻后的测试结构。一组四个测试结构是臭氧水清洗前的氧等离子体棚。清洗前未按压其他设备袋HP 截面扫描电子显微镜(SEM)根据电子显微镜检查，照片提供了对新工艺清洗和腐蚀性能的初步评估，试验结构中无金属腐蚀迹象，工艺温度低，接近中性酸盐，金属腐蚀可能性降低。
本文回顾了新清洁的挑战和工艺标准，并对一些新的清洁技术进行了评论。必须找到具有成本效益的清洁技术，快速、安全、彻底地清除所有污染物，不会损坏金属、低k或高k材料，并使用更少的水和化学物质。