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90N10-ASEMI高压MOS管90N10
型号：90N10
品牌：ASEMI
封装：TO-220AB
最大漏电流：90A
泄漏击穿电压：1000V
RDS（ON）Max：0.08Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管道、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的90N10 MOS管
ASEMI品牌90N10采用工艺芯片，具有良好的稳定性和抗冲击性，保证90N最大漏源电流90A，漏源击穿电压100V.
?细节反映了差距
90N10,ASEMI品牌、工艺芯片、工艺制造、产品稳定性高、抗冲击性强。
90N10具体参数为：最大漏电流：25A，泄漏击穿电压：1000V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220AB
