日前，基于SiC和GaN随着第三代半导体技术的蓬勃发展，对分立器件性能测试的相应要求也随之而来。其较高的dv/dt与di/dt性能测试带来了很多困难。泰克的TIVP以其优越的160系列光隔离探头dB共模抑制比，超低前端电容，连接方式丰富，搭配方便AFG双脉冲输出功能31000，加三代半导体测试过程。
由于其宽禁带、低驱动电压、低开关损耗等特点，三代半导体具有光伏、风电、特高压传输、储能、新能源汽车等广泛的应用市场。
三代半导体作为一种重要的开关设备，也延续了IGBT测试过程中需要考虑的重要参数，如开关、导通、关闭时的电压、电流和损耗。除上下管外Vgs除测试外，最重要的是双脉冲测试，主要用于测量开启参数、关闭参数、反向恢复参数等。
不同部件在双脉冲测试中的工作状态：
在负载电感器中建立感器中建立电流，最大值达到所需电流值
关断，在diode电流产生的电流与电感电流一致，因此整体反映为电流零位
窄脉冲，因为diode恢复会导致电流在起始位置过冲，从而产生尖峰
在测试过程中，Gate驱动电压需要两个连续脉宽可调脉冲串。一般需要专门设计驱动模块，编辑设计相应的功能，成本高，参数修改复杂。或者使用AFG但是传统的增加隔离驱动电路的方式AFG基础功能智能生成脉宽不变的脉冲串，参数可调的脉冲串需要通过电脑软件编辑的方式来实现。泰克AFG31000完美地解决了上述问题开创性地将双脉冲编辑器嵌入仪器中，方便快捷地设置和调整双脉冲参数。
驱动电压的双脉冲设置完成后，然后是Vgs因为SiC单管高达800V的Vds电压导致上管浮地电压高。Gate电压通常在十几V左右，因此对差分探头的共模抑制比提出了很高的要求。
若 100 V 共模电压, 20 dB 共模抑制比(10:1) 100MHz
100 V 除以10 à 10 V error
光隔离提供120dB（既1M：1)共模抑制比
100V除以1M à 100uV error
泰克 TIVP该系列光隔离探头共模抑制比优异，高达160dB，即使在100M120的测试频率仍然可以稳定dB，误差为1万:1。如果共模电压为1万V例如，测试中引入的误差仅为1mV
输入电容＜3pF
共模电压＞±60KV
测量范围至3.3KV(需要添加相应的衰减连接器)
TIVP探头与LeCroyDA1855A共模抑制比对比
几种常见的Vgs测试对比，其中TPP1000是下管电压试验，路上可以清楚地看到光隔离塔头的振铃和畸变要小得多。
双脉冲测试，除了对Vgs，Vds除了考虑电压外，还需要考虑电压Ids进行考量。
对于以SiC以及GaN它是衬底的三代半导体器件di/dt可能高达几十千A/us，对电流探头的带宽有了新的要求。由于需要测试开关的整个动态响应过程，电流探头需要从DC起，至测量要求带宽。Shunt测试方法可以实现较高的测试带宽，但由于共模电压较高，泰克光隔离探头的出现完美地解决了类似题。
Shunt 与罗氏线圈测试相比
此外，由于超高的开关速度，它反映在对探头和带宽要求更快的信号上DUT它们之间的连接也有更高的要求。
不同电缆长度对测试结果的影响
使用泰克光隔离探头MMCX接口连接器，能够最大程度上降低连接引入的噪声，还原最真实的测量结果。
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