Transphorm基于GaN提供突破性解决方案30W/in3功率密度和94.5%的效率
加州戈利塔-(美国商业信息)-高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)和功率密度领导者Silanna Semiconductor今天宣布推出世界一流的项目GaN电源适配器参考设计。该解决方案是65个开放架构W USB-C Power Delivery (PD)充电器，结合Transphorm的SuperGaN?第四代平台(Gen IV)与Silanna Semiconductor专用有源钳反激式(ACF) PWM控制器。这两种技术的结合产生了前所未有的94.峰值效率5%，峰值效率30%W/in3.无封装功率密度。这些性能水平超过了目前硅超结的使用MOSFET或e-mode GaN晶体管的类似解决方案也被使用Transphorm更小的GaN FET。Silanna Semiconductor和Transphorm的通用GaN适配器设计是为笔记本电脑、平板电脑、智能手机等物联网设备供电的理想选择。
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新的参考设计Transphorm和Silanna Semiconductor依托先进技术。SuperGaN FET是Transphorm的TP65H300G4LSG，这是一种工业标准PQFN88封装的650 V 240 mΩ器件。它利用SuperGaN第四代平台采用先进的外延片(EPI)以专利设计技术提高性能。坚固的GaN FET还具有Transphorm该装置的高可靠性，包括业顶级栅极的坚固性。而且，不同于增强型(e-mode)器件，GaN FET不需要额外的保护性外部电路，如偏置轨或电平转换器——这种优点可以提高效率。这些特性和其他功能进一步提高了适配器系统的整体功率密度，并降低材料清单(BoM)成本。
Silanna Semiconductor的SZ1130是世界上第一款完全集成的ACF PWM自适应数字控制器PWM控制器，有源钳位FET、有源钳位栅极驱动和UHV启动稳压器集成。作为ACF比竞争对手提供准谐振的解决方案(QR)控制器性能更高，在市场上的一切ACF极小的控制器PCB面积提供极简单的设计。Silanna Semiconductor不可知的技术设计专注于最终的电源管理挑战，具有前所未有的一流的功率密度和效率BoM节约成本，让客户满意。
Transphorm现场应用与技术销售副总裁Tushar Dhayagude说:通过把我们的SuperGaN?器件与Silanna Semiconductor新颖高度集成的有源钳位反激控制器，Transphorm和Silanna Semiconductor可以为USB-C PD适配器客户提供基础GaN综合参考解决方案的顶级性能。众所周知，我们的GaN FET它可以提高效率，降低功耗AC/DC充电器的尺寸，特别是类似的增强型GaN和集成式GaN IC与解决方案相比，具有明显的优势。双方的合作可以说是两家创新企业的强大结合GaN积极影响全球电源适配器的应用。”
Silanna Semiconductor营销总监Ahsan Zaman说：我们的ACF控制器应用广泛，为充电器制造商提供设计灵活性，让他们选择自己喜欢的FET技术。结合我们的SZ1130和Transphorm的TP65H300G4LSG，ACF94控制器可以带来.5%的效率，达到行业领先的性能。Silanna Semiconductor我们很高兴将自己的知识和专业知识与技术生态系统合作伙伴相结合，进一步提升一流的效率和功率密度成果，提供世界上一些创新产品。”
以下两家制造商可获得65家W USB-C PD GaN参考设计原理图、设计文件和材料清单。
- Silanna Semiconductor：RD-19 (联系邮箱:sales@silanna.com）
- Transphorm：TDADP-SIL-USBC-65W-RD (在此下载文件)
领导者的功率密度。应对电源管理的最终挑战，实现前所未有的一流的功率密度和效率性能BoM满足客户。Silanna Semiconductor的AC/DC和DC/DC电源转换器IC旅行适配器、笔记本电脑适配器、设备电源、智能仪器、计算、照明、工业电源和显示电源的关键创新正在利用最新的数字、模拟控制和设备技术。区域设计中心和在线工具除了我们的全球工程销售团队外，还为客户提供支持。“Power Density Hero是一种在线设计工具，客户可以输入自己的功率需求，并立即收到完整的设计、原理图和 材料清单(BOM)。亚洲卓越中心(ACE)拥有专门的电源系统工程师团队，支持客户的具体应用设计需求。Silanna Semiconductor总部位于加州圣地亚哥，是一家在北美、欧洲、亚洲和澳大利亚设立设计中心和办事处的私营半导体公司，为全球客户提供服务支持。
Transphorm, Inc.它是氮化镓革命的全球领导者，致力于高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件的设计、制造和销售。Transphorm拥有最大功率氮化镓知识产权组合之一，拥有或授权的专利超过1000项，率先在业内生产JEDEC和AEC-Q101认证的高压GaN半导体器件。由于业务模式的垂直整合，公司可以在产品和技术开发的各个阶段进行创新：设计、制造、设备和应用支持。Transphorm为了使效率超过99%，提高功率密度40%，降低系统成本，创新正在突破硅的局限性。Transphorm总部位于加州戈利塔，在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。在Twitter @transphormusa和微信（ID：TransphormGaN）关注我们。
SuperGaN商标是Transphorm, Inc.注册商标。所有其他商标均为各自所有者的财产。